[发明专利]一种冷壁法CVD沉积设备及其工作方法

摘要

本发明公开一种冷壁法CVD沉积设备及其工作方法，涉及CVD沉积设备技术领域。该CVD沉积设备包括设备框架，安装于设备框架上的设备主体，设备主体呈中空圆筒状，设备主体的内部设有保温腔，保温腔的内腔设有加热沉积机构；加热沉积机构包括碳硅棒、陶瓷管、基材管、第一法兰、第二法兰；陶瓷管贯穿设备主体横向的两端且通过卡扣紧固。工作时由进气口通入原料气体CH₄、H₂、Ar，原料气体进入腔体内后，CH₄集中在加热体附近裂解，并在加热体上放置的基材管上沉积生长。本发明采用加热体直接置于管体内部的形式，充分利用加热体所产生的热能，并在外管陶瓷冷壁的加持下，所制备得到的薄膜质量更高，纯度更高。

主权项

1.一种冷壁法CVD沉积设备，包括：设备框架(17)，安装于设备框架(17)上的设备主体(18)，其特征在于，设备主体(18)呈中空圆筒状，设备主体(18)的内部设有保温腔(8)，保温腔(8)的内腔设有加热沉积机构；所述加热沉积机构包括碳硅棒(6)、陶瓷管(7)、基材管(9)、第一法兰(11)、第二法兰(5)；陶瓷管(7)贯穿设备主体(18)横向的两端且通过卡扣紧固；陶瓷管(7)呈中空圆柱状且其一端外壁通过第一法兰(11)紧固，另一端外壁通过第二法兰(5)紧固；第一法兰(11)朝向外侧的内壁设有卡槽且卡合有第一电极(13)，第二法兰(5)朝向外侧的内壁设有卡槽且卡合有第二电极(3)；所述第一法兰(11)和第二法兰(5)的内腔均对称设有L形的支架(12)，支架(12)与碳硅棒(6)的外壁之间设有陶瓷垫片(14)；所述第一电极(13)与第二电极(3)的纵截面均呈T字形；第一电极(13)与第二电极(3)朝向内侧的壁部均设有铜垫片(4)，碳硅棒(6)设于两个铜垫片(4)之间。