[发明专利]一种GIP电容结构及制作方法有效
| 申请号： | 201910670982.8 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110568644B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 阮桑桑 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1333 | 分类号： | G02F1/1333;H01L27/12 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐剑兵;郭鹏飞 |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种GIP电容结构及制作方法，本结构包括依次排布的基层、栅极层GE、栅极绝缘层GI、阻隔层ES、电极层SD、钝化层PV、第三电极层CM，所述第三电极层的部分穿透钝化层PV、阻隔层ES、栅极绝缘层GI，与栅极层GE连接，电极层SD与第三电极层CM不接触，电极层SD与第三电极层CM不接触。上述方案在兼容原有制程下，利用TIC结构的触控电极CM Layer与SD电极间形成第二存储电容，原有的C1与C2并联，Cox＝C1+C2。可提升容值，或者有效减小电容的面积的效果，若原有7T2C GIP电路设计中，实现窄边框。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gip 电容 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种GIP电容结构，其特征在于，包括依次排布的基层、栅极层GE、栅极绝缘层GI、阻隔层ES、电极层SD、钝化层PV、第三电极层CM，所述第三电极层的部分穿透钝化层PV、阻隔层ES、栅极绝缘层GI，与栅极层GE连接，电极层SD与第三电极层CM不接触，电极层SD与第三电极层CM不接触。/n
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