[发明专利]一种蛋白质基底上氧化锌基薄膜晶体管制备方法

摘要

本发明公开一种蛋白质基底上氧化锌基薄膜晶体管制备方法，包括步骤：1：配置得到蛋白质溶液；步骤2：将蛋白质溶液滴于平整的聚对苯二甲酸乙二酯塑料板上，待溶剂挥发后，干燥脱板获得可降解的圆形蛋白质基底薄膜；步骤3：在所述蛋白质基底薄膜上覆盖第一掩膜板，蒸镀铝薄膜，形成栅电极；步骤4：在所述栅电极上覆盖第二掩膜板，溅射沉积HfO2绝缘层薄膜；其中，靶溅射功率为140～160W，温度为85～95℃，压力7.5～8.5mtorr，Ar/O2为8.5:1～9.5:1，沉积时间为1.5～2.5h，HfO2绝缘层薄膜厚度为190～210nm；步骤5：在所述绝缘层薄膜上覆盖第三掩膜板，溅射沉积锡掺杂氧化锌有源层薄膜；步骤6：在所述有源层薄膜上覆盖第四掩膜板，蒸镀源极和漏极后，获得可降解薄膜晶体管。

主权项

1.一种蛋白质基底上氧化锌基薄膜晶体管制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一定量蛋白粉，加入到去离子水和乙醇的混合熔液中，并置于水浴锅中，在60～75℃下加热10～15min，得到蛋白质溶液；步骤2：将蛋白质溶液滴于平整的聚对苯二甲酸乙二酯塑料板上，待溶剂挥发后，干燥脱板获得可降解的圆形蛋白质基底薄膜；步骤3：在所述蛋白质基底薄膜上覆盖第一掩模板，蒸镀铝薄膜，形成栅电极；步骤4：在所述栅电极上覆盖第二掩模板，溅射沉积HfO₂绝缘层薄膜；其中，靶溅射功率为140～160W，温度为85～95℃，压力7.5～8.5mtorr，Ar/O₂为8.5:1～9.5:1，沉积时间为1.5～2.5h，HfO₂绝缘层薄膜厚度为190～210nm；步骤5：在所述绝缘层薄膜上覆盖第三掩模板，溅射沉积锡掺杂氧化锌有源层薄膜；其中，所述溅射采用共溅射方式，且氧化锌靶溅射功率为90～110W，金属锡靶溅射功率为4.5～5.5W，温度为85～95℃，压力7.5～8.5mtorr，Ar/O₂为8.5:1～9.5:1，沉积时间为14～16min，锡掺杂氧化锌有源层薄膜的厚度65～75nm；步骤6：在所述有源层薄膜上覆盖第四掩膜板，蒸镀源极和漏极后，获得可降解薄膜晶体管。