[发明专利]一种蛋白质基底上氧化锌基薄膜晶体管制备方法有效

专利信息
申请号: 201910670628.5 申请日: 2019-07-24
公开(公告)号: CN110379716B 公开(公告)日: 2021-08-20
发明(设计)人: 王超;杨帆;雷蕾;左欢欢;王冶;王艳芳;周路;王欢;闫兴振;初学峰;赵春雷;迟耀丹;杨小天 申请(专利权)人: 吉林建筑大学
主分类号: H01L21/34 分类号: H01L21/34;H01L29/786;C23C14/04;C23C14/30;C23C14/20;C23C14/08;C23C14/35
代理公司: 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 代理人: 许小东
地址: 130000 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 蛋白质 基底 氧化锌 薄膜晶体管 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种蛋白质基底上氧化锌基薄膜晶体管制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤1:取蛋白粉,加入到去离子水和乙醇的混合熔液中,并置于水浴锅中,在60~75℃下加热10~15min,得到蛋白质溶液;

步骤2:将蛋白质溶液滴于平整的聚对苯二甲酸乙二酯塑料板上,待溶剂挥发后,干燥脱板获得可降解的圆形蛋白质基底薄膜;

步骤3:在所述蛋白质基底薄膜上覆盖第一掩膜板,蒸镀铝薄膜,形成栅电极;

步骤4:在所述栅电极上覆盖第二掩膜板,溅射沉积HfO2绝缘层薄膜;

其中,靶溅射功率为140~160W,温度为85~95℃,压力7.5~8.5mtorr,Ar/O2为8.5:1~9.5:1,沉积时间为1.5~2.5h,HfO2绝缘层薄膜厚度为190~210nm;

其中,靶溅射功率满足:

式中,P1为溅射沉积绝缘层靶溅射功率,ξ为校正系数,T1为溅射沉积绝缘层的温度,T0为室温,取20℃,p 1 为溅射沉积绝缘层的压强,p 0 为标准大气压,d1为溅射沉积绝缘层薄膜的厚度,dA为单位厚度,t1为溅射沉积绝缘层的时间,tA为单位时间,e为自然对数的底数,P10为溅射沉积绝缘层靶溅射基础功率;

步骤5:在所述绝缘层薄膜上覆盖第三掩膜板,溅射沉积锡掺杂氧化锌有源层薄膜;

其中,所述溅射采用共溅射方式,且氧化锌靶溅射功率为90~110W,金属锡靶溅射功率为4.5~5.5W,温度为85~95℃,压力7.5~8.5mtorr,Ar/O2为8.5:1~9.5:1,沉积时间为14~16min,锡掺杂氧化锌有源层薄膜的厚度65~75nm;

步骤6:在所述有源层薄膜上覆盖第四掩膜板,蒸镀源极和漏极后,获得可降解薄膜晶体管。

2.如权利要求1所述的蛋白质基底上氧化锌基薄膜晶体管制备方法,其特征在于,在步骤5中,氧化锌靶溅射功率满足:

金属锡靶溅射功率满足:

式中,P2为氧化锌靶溅射功率,P3为金属锡靶溅射功率,为校正系数,T2为溅射沉积有缘层的温度,p 2 为溅射沉积有缘层的压强,d1为溅射沉积有缘层薄膜的厚度,t2为溅射沉积有缘层的时间,P20为氧化锌靶溅射基础功率。

3.如权利要求2所述的蛋白质基底上氧化锌基薄膜晶体管制备方法,其特征在于,在所述步骤4中,靶溅射功率为150W,温度为90℃,压力8mtorr,Ar/O2为9:1,沉积时间为2h,HfO2绝缘层薄膜厚度为200nm。

4.如权利要求3所述的蛋白质基底上氧化锌基薄膜晶体管制备方法,其特征在于,在所述步骤5中,氧化锌靶溅射功率为100W,金属锡靶溅射功率为5W,温度为90℃,压力8mtorr,Ar/O2为9:1,沉积时间为15min,锡掺杂氧化锌有源层薄膜的厚度70nm。

5.如权利要求1、2、3或4所述的蛋白质基底上氧化锌基薄膜晶体管制备方法,其特征在于,所述去离子水和乙醇的体积比为1:2.5~1:3.5,所述蛋白粉的质量与所述去离子水和乙醇的混合熔液的体积比为1:3.5~1:4.5。

6.如权利要求5所述的蛋白质基底上氧化锌基薄膜晶体管制备方法,其特征在于,在步骤1中,所述去离子水和乙醇的体积比为1:3,所述蛋白粉的质量与所述去离子水和乙醇的混合熔液的体积比为1:4。

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