[发明专利]一种蛋白质基底上氧化锌基薄膜晶体管制备方法有效
| 申请号: | 201910670628.5 | 申请日: | 2019-07-24 |
| 公开(公告)号: | CN110379716B | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
| 发明(设计)人: | 王超;杨帆;雷蕾;左欢欢;王冶;王艳芳;周路;王欢;闫兴振;初学峰;赵春雷;迟耀丹;杨小天 | 申请(专利权)人: | 吉林建筑大学 |
| 主分类号: | H01L21/34 | 分类号: | H01L21/34;H01L29/786;C23C14/04;C23C14/30;C23C14/20;C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 | 代理人: | 许小东 |
| 地址: | 130000 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 蛋白质 基底 氧化锌 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
1.一种蛋白质基底上氧化锌基薄膜晶体管制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1:取蛋白粉,加入到去离子水和乙醇的混合熔液中,并置于水浴锅中,在60~75℃下加热10~15min,得到蛋白质溶液;
步骤2:将蛋白质溶液滴于平整的聚对苯二甲酸乙二酯塑料板上,待溶剂挥发后,干燥脱板获得可降解的圆形蛋白质基底薄膜;
步骤3:在所述蛋白质基底薄膜上覆盖第一掩膜板,蒸镀铝薄膜,形成栅电极;
步骤4:在所述栅电极上覆盖第二掩膜板,溅射沉积HfO2绝缘层薄膜;
其中,靶溅射功率为140~160W,温度为85~95℃,压力7.5~8.5mtorr,Ar/O2为8.5:1~9.5:1,沉积时间为1.5~2.5h,HfO2绝缘层薄膜厚度为190~210nm;
其中,靶溅射功率满足:
式中,P1为溅射沉积绝缘层靶溅射功率,ξ为校正系数,T1为溅射沉积绝缘层的温度,T0为室温,取20℃,
步骤5:在所述绝缘层薄膜上覆盖第三掩膜板,溅射沉积锡掺杂氧化锌有源层薄膜;
其中,所述溅射采用共溅射方式,且氧化锌靶溅射功率为90~110W,金属锡靶溅射功率为4.5~5.5W,温度为85~95℃,压力7.5~8.5mtorr,Ar/O2为8.5:1~9.5:1,沉积时间为14~16min,锡掺杂氧化锌有源层薄膜的厚度65~75nm;
步骤6:在所述有源层薄膜上覆盖第四掩膜板,蒸镀源极和漏极后,获得可降解薄膜晶体管。
2.如权利要求1所述的蛋白质基底上氧化锌基薄膜晶体管制备方法,其特征在于,在步骤5中,氧化锌靶溅射功率满足:
金属锡靶溅射功率满足:
式中,P2为氧化锌靶溅射功率,P3为金属锡靶溅射功率,为校正系数,T2为溅射沉积有缘层的温度,
3.如权利要求2所述的蛋白质基底上氧化锌基薄膜晶体管制备方法,其特征在于,在所述步骤4中,靶溅射功率为150W,温度为90℃,压力8mtorr,Ar/O2为9:1,沉积时间为2h,HfO2绝缘层薄膜厚度为200nm。
4.如权利要求3所述的蛋白质基底上氧化锌基薄膜晶体管制备方法,其特征在于,在所述步骤5中,氧化锌靶溅射功率为100W,金属锡靶溅射功率为5W,温度为90℃,压力8mtorr,Ar/O2为9:1,沉积时间为15min,锡掺杂氧化锌有源层薄膜的厚度70nm。
5.如权利要求1、2、3或4所述的蛋白质基底上氧化锌基薄膜晶体管制备方法,其特征在于,所述去离子水和乙醇的体积比为1:2.5~1:3.5,所述蛋白粉的质量与所述去离子水和乙醇的混合熔液的体积比为1:3.5~1:4.5。
6.如权利要求5所述的蛋白质基底上氧化锌基薄膜晶体管制备方法,其特征在于,在步骤1中,所述去离子水和乙醇的体积比为1:3,所述蛋白粉的质量与所述去离子水和乙醇的混合熔液的体积比为1:4。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





