[发明专利]用于太阳能电池的化学气相沉积设备在审
| 申请号： | 201910666607.6 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110777362A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 张元宰;安俊勇;李贤镐 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/458;C23C16/24;H01J37/32 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张美芹;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供用于太阳能电池的化学气相沉积设备。提供了一种化学气相沉积CVD设备，该CVD设备包括：室，该室具有内空间，多个硅晶圆以直立位置布置在室的内空间中；和多个喷头，所述多个喷头被构造为朝向多个晶圆的各侧边缘喷射由硅沉积气体和杂质气体组成的混合气体。所述多个喷头可以布置在所述多个硅晶圆的两侧处。 | ||
| 搜索关键词： | 喷头 硅晶圆 内空间 化学气相沉积设备 化学气相沉积 太阳能电池 混合气体 杂质气体 直立位置 侧边缘 硅沉积 晶圆 喷射 | ||
【主权项】：
1.一种用于太阳能电池的化学气相沉积CVD设备，该CVD设备用于沉积掺杂多晶硅层，所述CVD设备包括：/n室，该室具有内空间，多个硅晶圆竖直地布置在所述室的所述内空间中；和/n多个喷头，所述多个喷头被构造为朝向所述多个硅晶圆的侧边缘喷射由硅沉积气体和杂质气体组成的混合气体。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
