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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]制造太阳能电池的方法-CN201910303829.1有效
发明人：郑珠华;安俊勇;张元宰;金在声 -专利权人：上饶市晶科绿能科技发展有限公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：制造太阳能电池的方法。根据本发明的实施方式的制造太阳能电池的方法包括以下步骤：在半导体基板上形成氧化硅膜；以及将氧化硅膜连续地暴露于570℃至700℃的范围内的温度，以对氧化硅膜进行退火。
制造太阳能电池方法

[发明专利]太阳能电池-CN201810878741.8有效
发明人：河廷珉;金圣辰;郑柱和;安俊勇;崔亨旭;张元宰;金在声 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：太阳能电池。公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。
太阳能电池

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN202080052377.5在审
发明人：金圣辰;郑柱和;崔亨旭;张元宰 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：根据本发明的实施方式的太阳能电池包括：第一铝氧化物层，第一铝氧化物层位于第一导电类型区域上，该第一导电类型区域由具有n型导电类型并且包括氢的多晶硅层组成；以及第一钝化层，该第一钝化层位于第一铝氧化物层上并且包括包含与第一铝氧化物层的材料不同的材料的第一介电层。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]太阳能电池制备方法-CN202080008582.1在审
发明人： 张元宰;金圣辰;都荣九;郑柱和;安俊勇;曹海宗;高智洙 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池制备方法。其包括：多晶硅层形成步骤，用于在包括基区并由单晶硅材料形成的半导体基板的后表面上形成包含第一掺杂剂的多晶硅层；前表面纹理化步骤，用于对半导体基板的前表面进行纹理化并且还去除形成于前表面上的多晶硅层；第二导电区形成步骤，用于通过在半导体基板的前表面上扩散第二掺杂剂来形成第二导电区；钝化膜形成步骤，用于在形成于半导体基板的后表面上的多晶硅层上形成第一钝化膜，并且在半导体基板的前表面上的第二导电区上形成第二钝化膜；以及电极形成步骤，用于形成穿过第一钝化膜并且连接至多晶硅层的第一电极并且在第二导电区上形成穿过第二钝化膜的第二电极。
太阳能电池制备方法

[发明专利]用于太阳能电池的化学气相沉积设备-CN201910666607.6在审
发明人： 张元宰;安俊勇;李贤镐 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供用于太阳能电池的化学气相沉积设备。提供了一种化学气相沉积CVD设备，该CVD设备包括：室，该室具有内空间，多个硅晶圆以直立位置布置在室的内空间中；和多个喷头，所述多个喷头被构造为朝向多个晶圆的各侧边缘喷射由硅沉积气体和杂质气体组成的混合气体。所述多个喷头可以布置在所述多个硅晶圆的两侧处。
喷头硅晶圆内空间化学气相沉积设备化学气相沉积太阳能电池混合气体杂质气体直立位置侧边缘硅沉积晶圆喷射

[发明专利]制造太阳能电池的方法-CN201710054307.3有效
发明人：郑珠华;安俊勇;张元宰;金在声 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：根据本发明的实施方式的制造太阳能电池的方法包括以下步骤：在半导体基板上形成氧化硅膜；以及将氧化硅膜连续地暴露于570℃至700℃的范围内的温度，以对氧化硅膜进行退火。
制造太阳能电池方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201510892086.8有效
发明人：河廷珉;金圣辰;郑柱和;安俊勇;崔亨旭;张元宰;金在声 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。
太阳能电池及其制造方法

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