[发明专利]阵列基板有效
| 申请号: | 201910660434.7 | 申请日: | 2019-07-22 |
| 公开(公告)号: | CN110429112B | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
| 发明(设计)人: | 杨薇薇 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供一种阵列基板,通过将所述第二金属层设置成网格结构,所述网格结构和设置在所述第三金属层的定电压信号走线并行连接,并将存储电容作为所述网格结构的连接点。所述网格结构保证高像素密度设计的同时也用于降低电压降,进而可以提高亮度的均一性。并且在制备的过程中,所述网格结构可以与所述第二金属层的制程中可以一同制备,进而无需新增制程,节省成本。 | ||
| 搜索关键词: | 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:基板;有源层,设于所述基板上;第一绝缘层,设于所述有源层以及所述基板上;第一金属层,设于所述第一绝缘层远离所述有源层的一侧;第二绝缘层,设于所述第一金属层以及所述第一绝缘层上;第二金属层,设于所述第二绝缘层远离所述第一金属层的一侧;第三绝缘层,设于所述第二金属层以及所述第二绝缘层上;第三金属层,具有一定电圧走线,设于所述第三绝缘层远离所述第二金属层的一侧;其中,所述第二金属层包括沿第一方向设置的第一金属走线以及沿第二方向设置的第二金属走线;所述第一金属走线以及所述第二金属走线交错形成一网格结构;所述网格结构连接所述定电圧信号走线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





