[发明专利]阵列基板有效
| 申请号: | 201910660434.7 | 申请日: | 2019-07-22 |
| 公开(公告)号: | CN110429112B | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
| 发明(设计)人: | 杨薇薇 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基板;
有源层,设于所述基板上;
第一绝缘层,设于所述有源层以及所述基板上;
第一金属层,设于所述第一绝缘层远离所述有源层的一侧;
第二绝缘层,设于所述第一金属层以及所述第一绝缘层上;
第二金属层,设于所述第二绝缘层远离所述第一金属层的一侧;
第三绝缘层,设于所述第二金属层以及所述第二绝缘层上;
第三金属层,具有一定电圧信号走线,设于所述第三绝缘层远离所述第二金属层的一侧;
其中,所述第二金属层包括沿第一方向设置的第一金属走线以及沿第二方向设置的第二金属走线;所述第一金属走线以及所述第二金属走线交错形成一网格结构;所述网格结构连接所述定电圧信号走线;
所述阵列基板还包括设于所述基板上的薄膜晶体管,包括半导体、存储电容、第一栅极线、第二栅极线、源极走线以及漏级走线;
其中,所述半导体设于所述有源层中,所述第一栅极线设于所述第一金属层中,所述第二栅极线设于所述第二金属层中,所述源极走线以及所述漏级走线设于所述第三金属层中。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述第一金属走线连接所述定电圧信号走线;和\或
所述第二金属走线连接所述定电圧信号走线。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述第二金属层与第三金属层采用的材料包括铝合金的低电阻材料。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述第二绝缘层具有一第一通孔,所述第一通孔贯穿所述第二绝缘层以及部分所述第一绝缘层直至所述有源层,所述网格结构通过所述第一通孔连接所述有源层。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,
所述第三绝缘层具有一第二通孔,所述第二通孔贯穿部分所述第三绝缘层直至所述网格结构,所述定电圧信号走线通过所述第二通孔连接所述网格结构。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,
所述第一通孔与所述第二通孔相对设置。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述第三绝缘层具有一第三通孔,所述第三通孔贯穿部分所述第三绝缘层、所述第二绝缘层以及部分所述第一绝缘层直至所述有源层的表面,所述源极走线以及所述漏级走线通过所述第三通孔连接所述有源层;
所述定电圧信号走线通过所述第三通孔连接所述有源层。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述存储电容设于所述网格结构的交叉处。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括一平坦化层以及依次设于所述平坦化层上的第一电极以及像素限定层;
其中,所述平坦化层设于所述第三金属层以及所述第三绝缘层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





