[发明专利]阵列基板

说明书

本发明提供一种阵列基板，通过将所述第二金属层设置成网格结构，所述网格结构和设置在所述第三金属层的定电压信号走线并行连接，并将存储电容作为所述网格结构的连接点。所述网格结构保证高像素密度设计的同时也用于降低电压降，进而可以提高亮度的均一性。并且在制备的过程中，所述网格结构可以与所述第二金属层的制程中可以一同制备，进而无需新增制程，节省成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种阵列基板。

背景技术

有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)由于其重量轻，自发光，广视角、驱动电压低、发光效率高功耗低、响应速度快等优点，应用范围越来越广泛，尤其是柔性显示装置具有可弯折易携带的特点，成为显示技术领域研究和开发的主要领域。

目前高端手机对亮度均一性要求较高，如何提升屏幕的亮度均一性是各大厂商开发的重点方向。现有技术中，苹果手机通过在源漏电极上方新增一层金属层，将VDD走线(主供电电源，powerline)进行网格化设计来降低电压降(IRdrop)，提高亮度均一性。但这种设计增加制程较多，会显著增加生产成本。

因此，有必要提出一种新的阵列基板，解决现有技术中降低压降与成本取舍的问题，在实现降低压降的同时也降低了的制作成本。

发明内容

为解决上述技术问题：本发明提出了一种阵列基板，通过将所述第二金属层设置成网格结构，所述网格结构与所述定电圧信号走线并行连接用以传输电压信号。所述网格结构保证高像素密度设计的同时也用于降低电压降，进而可以提高亮度的均一性。

解决上述问题的技术方案是：本发明提供一种阵列基板，包括基板；有源层，设于所述基板上；第一绝缘层，设于所述有源层以及所述基板上；第一金属层，设于所述第一绝缘层远离所述有源层的一侧；第二绝缘层，设于所述第一金属层以及所述第一绝缘层上；第二金属层，设于所述第二绝缘层远离所述第一金属层的一侧；第三绝缘层，设于所述第二金属层以及所述第二绝缘层上；第三金属层，具有一定电压走线，设于所述第三绝缘层远离所述第二金属层的一侧；其中，所述第二金属层包括沿第一方向设置的第一金属走线以及沿第二方向设置的第二金属走线；所述第一金属走线以及第二金属走线交错形成一网格结构；所述网格结构连接所述定电压信号走线。

进一步地，所述第一金属走线连接所述定电圧信号走线；和\或所述第二金属走线连接所述定电圧信号走线。

进一步地，所述第二金属层与第三金属层采用的材料包括铝合金的低电阻材料。进一步地，所述第二绝缘层具有一第一通孔，所述第一通孔贯穿所述第二绝缘层以及部分第一绝缘层所述直至所述有源层表面，所述网格结构通过所述第一通孔连接所述有源层。

进一步地，所述第三绝缘层具有一第二通孔，所述第二通孔贯穿部分所述第三绝缘层直至所述网格结构表面，所述定电圧信号走线通过所述第二通孔连接所述网格结构。

进一步地，所述第一通孔与所述第二通孔相对设置。

进一步地，还包括设于所述基板上的薄膜晶体管，包括半导体、存储电容、第一栅极线、第二栅极线、源极走线以及漏级走线；其中，所述半导体设于所述有源层中，所述第一栅极线设于所述第一金属层中，所述第二栅极线设于所述第二金属层中，所述源极走线以及所述漏级走线设于所述第三金属层中。

进一步地，所述第三绝缘层具有一第三通孔，所述第三通孔贯穿部分所述第三绝缘层、第二绝缘层以及部分第一绝缘层直至所述有源层的表面，所述源极走线以及所述漏级走线通过所述第三通孔连接所述有源层；所述定电圧信号走线通过所述第三通孔连接所述有源层。

进一步地，所述存储电容设于所述网格结构的交叉处。

进一步地，还包括一平坦化层以及依次设于所述平坦化层上的第一电极以及像素限定层；其中，所述平坦化层设于所述第三金属层以及所述第三绝缘层上。