[发明专利]一种等离子体预处理制备氧化钨纳米棒的方法有效
| 申请号： | 201910651664.7 | 申请日： | 2019-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN110295342B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 范红玉;倪维元;牛金海 | 申请（专利权）人： | 大连民族大学 |
| 主分类号： | C23C8/02 | 分类号： | C23C8/02;C23C8/12;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人： | 李楠 |
| 地址： | 116600 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种等离子体预处理制备氧化钨纳米棒的方法，属于工程材料制备领域。主要技术方案包括采用氢等离子体对钨衬底进行预处理和将预处理后的钨衬底在低气压含氧环境下退火两个步骤。本发明采用等离子体辅助预处理的方法，可在温度低于550℃下制备出分散均匀、纯度高、结晶程度高的氧化钨纳米棒；氧化钨纳米棒的密度和形态可以通过处理时间和氧气分压来控制，制备过程中不涉及样品的研磨过程，不会额外引入杂质，不涉及到废气或废液的回收，对环境无污染，操作简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 预处理 制备 氧化钨 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体预处理制备氧化钨纳米棒的方法，其特征在于：包括下述步骤：①采用氢等离子体对钨衬底进行预处理，射频放电功率为3‑10kW，放电气压为5‑30Pa，预处理时间为10‑60min；②将步骤①处理后的钨衬底在氧气中进行退火处理，真空腔内退火气压为2.0×10‑3‑1.5×10‑1Pa，在温度为380‑520℃时退火5‑240min，即可在钨衬底上生长出氧化钨纳米棒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连民族大学，未经大连民族大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910651664.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
