[发明专利]一种等离子体预处理制备氧化钨纳米棒的方法有效
| 申请号： | 201910651664.7 | 申请日： | 2019-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN110295342B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 范红玉;倪维元;牛金海 | 申请（专利权）人： | 大连民族大学 |
| 主分类号： | C23C8/02 | 分类号： | C23C8/02;C23C8/12;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人： | 李楠 |
| 地址： | 116600 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 预处理 制备 氧化钨 纳米 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种等离子体预处理制备氧化钨纳米棒的方法，其特征在于：包括下述步骤：
①采用氢等离子体对钨衬底进行预处理，射频放电功率为3-10kW，放电气压为5-30Pa，预处理时间为10-60min；
②将步骤①处理后的钨衬底在氧气中进行退火处理，退火处理采用激光器快速加热方法，所述激光器为半导体激光器，激光波长为980nm，光纤耦合连续输出，激光光斑形状为圆形光束，真空腔内退火气压为2.0×10-3-1.5×10-1Pa，在温度为380-520℃时退火5-240min，即可在钨衬底上生长出氧化钨纳米棒。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述氢等离子体为纯氢气、或氢气与氩气、氮气、氦气的任一种混合气体。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的钨衬底为含量不低于95wt％的纯钨材料。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所生成的氧化钨纳米棒结构为W18O49，纳米棒的直径为10-50nm，长度为20-500nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连民族大学，未经大连民族大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910651664.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
