[发明专利]双列直插式存储器模块(DIMM)可编程加速卡在审

专利信息
申请号: 201910649573.X 申请日: 2019-07-18
公开(公告)号: CN110851378A 公开(公告)日: 2020-02-28
发明(设计)人: S·拉加瓦;D·苏巴雷迪;K·普拉萨德;A·那拉马尔普;H·古普塔 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G06F13/12 分类号: G06F13/12;G06F13/16;G06F13/42
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘文灿
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 中央处理单元(CPU)可以直接耦合到插入到DIMM插槽中的加速器器双列直插式存储器模块(DIMM)卡。CPU可以包括主存储器控制器,其经由低延时双倍数据速率(DDR)接口向加速器DIMM卡发送请求或卸载任务。加速DIMM卡可以包括用于转换所接收的请求的从存储器控制器、用于解码所转换的请求的解码器、用于协调DIMM卡内的数据流的控制电路、可以被动态编程以支持各种各样的定制功能的硬件加速资源、以及用于与各种类型的非易失性和/或易失性存储器接合并且用于与其他类型的存储和处理设备连接的输入输出组件。
搜索关键词: 双列直插式 存储器 模块 dimm 可编程 加速卡
【主权项】:
暂无信息
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