[发明专利]晶圆处理方法以及晶圆处理模块有效

申请号：	201910628613.2	申请日：	2019-07-12
公开（公告）号：	CN110718491B	公开（公告）日：	2022-10-21
发明（设计）人：	刘晏宏;陈哲夫	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/677	分类号：	H01L21/677;H01L21/683
代理公司：	隆天知识产权代理有限公司 72003	代理人：	谢强;黄艳
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：	本公开提供一种晶圆处理方法以及晶圆处理模块，一种防止在处理模块中太早解除夹持的晶圆处理方法，包括：将晶圆放置在具有提升插销的吸座上，其中提升插销的一或多者包括压力感应器，配置以测量通过晶圆所施加的压力；测量通过晶圆施加在所述一或多个提升插销的第一压力；降低提升插销，以将晶圆放置在吸座上；加工晶圆；以及从吸座去除晶圆，其中从吸座去除晶圆的操作包括将所述一或多个提升插销压靠在晶圆上以测量通过晶圆所施加的第二压力；当测量到的第二压力实质上等于第一压力时，使用提升插销将晶圆提升到吸座上方。
搜索关键词：	处理方法以及模块
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【主权项】：

1.一种晶圆处理方法，包括：/n使用多个提升插销将一晶圆放置在一吸座上方，其中该等提升插销的一或多者包括一压力感应器，配置以测量通过该晶圆所施加的一压力；/n测量通过该晶圆施加在该一或多个提升插销的一第一压力；/n降低该等提升插销，以将该晶圆放置在该吸座上；/n通过该吸座对该晶圆施加一第一电压；/n加工该晶圆；以及/n从该吸座去除该晶圆，其中从该吸座去除该晶圆的操作包括：/n对该晶圆施加一第二电压；/n在该晶圆上流动一气体，以去除残留的一静电荷；/n将该一或多个提升插销压靠在该晶圆上以测量通过该晶圆所施加的一第二压力；以及/n响应于测量到的该第二压力实质上等于该第一压力时，使用该等提升插销将该晶圆提升到该吸座上方。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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