[发明专利]一种无催化剂生长β-Ga2O3纳米线的方法在审
| 申请号： | 201910618963.0 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN110217815A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 谢超;陆星彤;马梦茹;罗林保 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C01G15/00 | 分类号： | C01G15/00;C23C14/16;C23C14/24;H01L31/032;H01L31/0352;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 卢敏 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无催化剂生长β‑Ga2O3纳米线的方法，是以水平管式炉作为反应装置，控制反应温度和气体流量等参数，通过VS生长机制获得高质量β‑Ga2O3纳米线。本发明的工艺简单、成本低廉、易于推广，且所得产物纯度高、电学和光学特性优异。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米线 无催化剂 生长 水平管式炉 产物纯度 反应装置 光学特性 气体流量 电学 | ||
【主权项】：
1.一种无催化剂生长β‑Ga2O3纳米线的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、以水平管式炉作为反应装置；将适量金属镓放入瓷舟中，再转移到水平管式炉的气流上游；将清洗并干燥的基片放入另一瓷舟中，并转移到水平管式炉的气流下游；步骤2、将管式炉内抽真空，然后通氧气，控制整个反应过程的氧气流量在20‑50sccm；升温至900‑1300℃，反应1h；步骤3、反应结束后，自然冷却至室温，取出，即在基片上获得β‑Ga2O3纳米线。
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