[发明专利]预处理方法、金属硅化物的形成方法以及半导体处理装置有效
| 申请号： | 201910611966.1 | 申请日： | 2019-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN111211046B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 黄志贤;刘小东;方建智;刘镇豪 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑星 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种预处理方法、金属硅化物的形成方法以及半导体处理装置。所述预处理方法对半导体结构执行等离子刻蚀，半导体结构在衬底的有源区的部分表面上设置有第一导电部分以及覆盖于第一导电部分侧表面的隔离侧墙，在等离子刻蚀中，通过调节两个RF源的功率来调节施加在半导体结构表面的偏压不小于150V。所述金属硅化物的形成方法对包括第一导电部分和第二导电部分的半导体结构进行上述预处理后，沉积金属膜并进行退火以形成了金属硅化物。较大的偏压有助于避免从隔离侧墙上落下的侧墙材料停留在衬底表面，可以提高预处理效果进而提高金属硅化物的质量。所述半导体处理装置可以用于执行上述预处理方法以及金属硅化物的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 预处理 方法 金属硅 形成 以及 半导体 处理 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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