[发明专利]预处理方法、金属硅化物的形成方法以及半导体处理装置

权利要求书

1.一种半导体结构的预处理方法，其特征在于，包括：

提供一半导体结构，所述半导体结构包括一具有有源区的衬底，并且在所述衬底的有源区的部分表面上形成有第一导电部分以及覆盖于所述第一导电部分的侧表面的隔离侧墙；以及

在已经形成所述第一导电部分和所述隔离侧墙的半导体结构上对所述半导体结构暴露的表面执行等离子刻蚀，以从所述半导体结构暴露的表面移除材料来进行预处理，其中，执行所述等离子刻蚀的设备设置有两个RF源，通过调节所述两个RF源的功率来调节施加在所述半导体结构表面的偏压，所述偏压不小于150V。

2.如权利要求1所述的预处理方法，其特征在于，所述等离子刻蚀为溅射刻蚀，所述溅射刻蚀采用的工艺气体包括Ar和/或He。

3.如权利要求1所述的预处理方法，其特征在于，所述偏压不超过260V。

4.如权利要求1所述的预处理方法，其特征在于，从所述半导体结构暴露的表面移除的材料包括自然氧化层，所述等离子刻蚀的刻蚀时间为7s～22s。

5.如权利要求1至4中任一项所述的预处理方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底或者SOI衬底，所述第一导电部分为MOS晶体管的栅极。

6.一种金属硅化物的形成方法，其特征在于，包括：

提供一半导体结构，所述半导体结构包括衬底，所述衬底上设置有第一导电部分、覆盖于所述第一导电部分的侧表面的隔离侧墙以及从远离所述第一导电部分一侧邻接所述隔离侧墙的第二导电部分，所述第二导电部分位于所述衬底中并延伸至所述衬底的表面；

执行等离子刻蚀，以从所述半导体结构暴露的表面移除材料来进行预处理，其中，执行所述等离子刻蚀的设备设置有两个RF源，通过调节所述两个RF源的功率来调节施加在所述半导体结构表面的偏压，所述偏压不小于150V；

在经过预处理的所述半导体结构上沉积一层金属膜，所述金属膜覆盖在所述第一导电部分、所述隔离侧墙以及所述第二导电部分暴露的表面上；

对沉积有所述金属膜的半导体结构进行热退火，以使所述第一导电部分和所述第二导电部分表面的硅与所述金属膜反应形成金属硅化物；以及

去除未反应的所述金属膜。

7.如权利要求6所述的金属硅化物的形成方法，其特征在于，所述金属膜的材料包括Ni、Ti、W、Co、Mn、Mo、Zr、Ta、Pd、Pt、Yb中的至少一种金属或合金。

8.如权利要求6所述的金属硅化物的形成方法，其特征在于，所述第一导电部分为MOS晶体管的栅极，所述第二导电部分为所述MOS晶体管的源/漏区。

9.一种半导体处理装置，其特征在于，包括：

装载腔室，用于提供一种半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于所述衬底上的第一导电部分、覆盖于所述第一导电部分的侧表面的隔离侧墙以及从远离所述第一导电部分邻接所述隔离侧墙的第二导电部分，所述第二导电部分位于所述衬底中并延伸至所述衬底的表面；

预处理腔室，用于放置从所述装载腔室传送来的所述半导体结构并对所述半导体结构进行预处理，所述预处理通过等离子刻蚀从所述半导体结构暴露的表面移除材料，所述预处理腔室设置有两个RF源，在预处理时，通过调节所述两个RF源的功率来调节施加在所述半导体结构表面的偏压，所述偏压不小于150V；

沉积腔室，用于放置从所述预处理腔室传送来的所述半导体结构并在经过预处理的所述半导体结构上沉积一层金属膜；以及

传输设备，用于在所述装载腔室、所述预处理腔室以及所述沉积腔室之间传输所述半导体结构。

10.如权利要求9所述的半导体处理装置，其特征在于，所述沉积腔室沉积所述金属膜采用物理气相沉积、化学气相沉积和原子层沉积中的一种。