[发明专利]一种ZrC/SiC复相陶瓷前驱体及其制备方法有效
| 申请号： | 201910604429.4 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110357632B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 赵彤;邱文丰;孙娅楠;韩伟健;叶丽;陈凤华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C04B35/56 | 分类号： | C04B35/56;C04B35/571;C04B35/577;C04B35/622;C08G81/00 |
| 代理公司： | 北京元中知识产权代理有限责任公司 11223 | 代理人： | 李达宽 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ZrC/SiC复相陶瓷前驱体及其制备方法，所述前驱体以非极性聚锆氧烷为锆源，改性酚醛为碳源，聚碳硅烷为硅源反应制备而成；所述改性酚醛中的部分羟基被醚化，且含有碳碳不饱和官能团。制备方法则在非极性聚锆氧烷制备过程中施加高温预聚，并使锆源与碳源在一定温度下混合反应制得ZrC前驱体。本发明通过选择含有不饱和官能团和羟基被醚化的酚醛作为碳源，同时对锆源进行特定处理，使得聚锆氧烷中残留的Zr‑OR结构含量下降，提高了碳化锆前驱体的稳定性，从而进一步提高了复相陶瓷前驱体在常温下的贮存性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zrc sic 陶瓷 前驱 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种ZrC/SiC复相陶瓷前驱体，其特征在于，所述前驱体以非极性聚锆氧烷为锆源，改性酚醛为碳源，聚碳硅烷为硅源反应制备而成；所述改性酚醛中的部分羟基被醚化，且含有碳碳不饱和官能团。
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