[发明专利]一种IGBT单元的击穿检测方法有效
| 申请号： | 201910598767.1 | 申请日： | 2019-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN110244208B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 谢美珍;郑昕斌 | 申请（专利权）人： | 福州丹诺西诚电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 张明 |
| 地址： | 350000 福建省福州市鼓楼*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及IGBT击穿检测技术领域，特别涉及一种IGBT单元的击穿检测方法，本方案通过采集由IGBT单元输出的在连续三个周期且在每个周期的最后10％的周期内的电流值，通过判断所采集到的所述电流值是否均为零来判定IGBT单元是否有被击穿，能够快速检测到IGBT单元的高边驱动的击穿情况，能够在300ms内检测到IGBT单元的高边驱动击穿的情况；而且无需进行工作状态切换，能够提高击穿检测的效率且功率的稳定性能高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 单元 击穿 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT单元的击穿检测方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、采集由IGBT单元输出的在连续三个周期且在每个周期的最后10％的周期内的电流值；S2、判断步骤S1采集到的所述电流值是否均为零；S3、若否，则判定IGBT单元被击穿。
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