[发明专利]一种IGBT单元的击穿检测方法有效

专利信息
申请号: 201910598767.1 申请日: 2019-07-04
公开(公告)号: CN110244208B 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: 谢美珍;郑昕斌 申请(专利权)人: 福州丹诺西诚电子科技有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 代理人: 张明
地址: 350000 福建省福州市鼓楼*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 igbt 单元 击穿 检测 方法
【权利要求书】:

1.一种IGBT单元的击穿检测方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、采集由IGBT单元输出的在连续三个周期且在每个周期的最后10%的周期内的电流值;

S2、判断步骤S1采集到的所述电流值是否均为零;

S3、若否,则判定IGBT单元被击穿;

所述IGBT单元包括IGBT1单元和IGBT2单元,所述IGBT1单元与所述IGBT2单元电连接;

在判定IGBT单元被击穿后,还包括以下步骤:

预设叠加电流值;

将步骤S1中采集到的电流值分别与所述叠加电流值作比较,得到对应的电流差值;

依次判断IGBT单元在连续三个周期内的电流差值是否均在预设阈值范围内;

若是,则判定IGBT1单元和IGBT2单元均被击穿;若否,则判定IGBT1单元和IGBT2单元中仅有一个被击穿;

所述判定IGBT1单元和IGBT2单元中仅有一个被击穿的方法为:

控制IGBT1单元的高边管关闭;

采集IGBT单元的总电流值;

判断采集到的IGBT单元的总电流值是否为零;

若是,则判定IGBT1单元的高边管被击穿;若否,则判定IGBT2单元的高边管被击穿。

2.根据权利要求1所述的IGBT单元的击穿检测方法,其特征在于,所述IGBT单元包括IGBT1单元和IGBT2单元,所述IGBT1单元与所述IGBT2单元电连接;

在步骤S1之前还包括以下步骤:

将IGBT单元在一个周期内按占空比分成连续的第一区间、第二区间和第三区间;

在第一区间内,控制IGBT1单元从所述一个周期的开始处进行电流输出,控制IGBT2单元从所述一个周期的二分之一的周期处进行电流输出;

在第二区间内,控制IGBT1单元从所述一个周期的开始处进行电流输出,控制IGBT2单元从所述一个周期的(100-占空比*100)/200的周期处进行电流输出;

在第三区间内,控制IGBT1单元和IGBT2单元从所述一个周期的开始处进行电流输出。

3.根据权利要求2所述的IGBT单元的击穿检测方法,其特征在于,所述第一区间为一个周期的前40%周期范围,所述第二区间为第一区间的后面40%周期范围,所述第三区间为一个周期的最后20%周期范围。

4.根据权利要求1所述的IGBT单元的击穿检测方法,其特征在于,在判定IGBT单元被击穿后,还包括以下步骤:

控制IGBT单元截止并生成故障信息,将所述故障信息反馈至服务器。

5.根据权利要求1所述的IGBT单元的击穿检测方法,其特征在于,还包括以下步骤:

若是,则判定IGBT单元没有被击穿。

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