[发明专利]一种IGBT单元的击穿检测方法

说明书

本发明涉及IGBT击穿检测技术领域，特别涉及一种IGBT单元的击穿检测方法，本方案通过采集由IGBT单元输出的在连续三个周期且在每个周期的最后10％的周期内的电流值，通过判断所采集到的所述电流值是否均为零来判定IGBT单元是否有被击穿，能够快速检测到IGBT单元的高边驱动的击穿情况，能够在300ms内检测到IGBT单元的高边驱动击穿的情况；而且无需进行工作状态切换，能够提高击穿检测的效率且功率的稳定性能高。

技术领域

本发明涉及IGBT击穿检测技术领域，特别涉及一种IGBT单元的击穿检测方法。

背景技术

绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称为IGBT)，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT在工作过程中发生击穿是较常见的现象，造成IGBT发生击穿的因素有很多，例如：过流、过压、过温和短路等都可能造成IGBT发生击穿。随着半导体开关技术的发展，半导体开关器件被广泛地应用在电焊机、变频器、SVG、柔性直流输电等设备中。在设备生产、调试、运输、现场维修或返修时经常不可避免地会出现半导体器件(如IGBT)损坏。在器件损坏的情况下，一旦设备上电运行，极易导致IGBT直通损坏，严重时会导致整个设备完全或部分炸毁。因此特别有必要提供一种能够用来检测IGBT击穿的方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种能够高效检测IGBT单元击穿的方法。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

一种IGBT单元的击穿检测方法，包括以下步骤：

S1、采集由IGBT单元输出的在连续三个周期且在每个周期的最后10％的周期内的电流值；

S2、判断步骤S1采集到的所述电流值是否均为零；

S3、若否，则判定IGBT单元被击穿。

本发明的有益效果在于：

本方案通过采集由IGBT单元输出的在连续三个周期且在每个周期的最后10％的周期内的电流值，通过判断所采集到的所述电流值是否均为零来判定IGBT单元是否有被击穿，能够快速检测到IGBT单元的高边驱动的击穿情况，能够在300ms内检测到IGBT单元的高边驱动击穿的情况；而且无需进行工作状态切换，能够提高击穿检测的效率且功率的稳定性能高；本本方案设计的击穿检测方法可以直接对处于工作状态的IGBT单元进行击穿检测，检测的准确性高且不会影响IGBT单元的正常工作，在出现故障时，也能够及时停止输出并将故障信息反馈至服务器等待工作人员对其进行维修。

附图说明

图1为根据本发明的一种IGBT单元的击穿检测方法的步骤流程图；

图2为根据本发明的一种IGBT单元的击穿检测方法的IGBT单元占空比为20％时的无击穿情况的电流输出波形图；

图3为根据本发明的一种IGBT单元的击穿检测方法的IGBT单元占空比为20％时的有击穿情况的电流输出波形图；

图4为根据本发明的一种IGBT单元的击穿检测方法的IGBT单元占空比为20％时的有击穿情况的电流输出波形图；

图5为根据本发明的一种IGBT单元的击穿检测方法的IGBT单元占空比为50％时的无击穿情况的电流输出波形图；