[发明专利]一种单层硫化钼调控碘化铅生长的方法

摘要

本发明提供了一种单层硫化钼调控碘化铅生长的方法，属于无机物制备领域。包括以下步骤：将基底依次用丙酮、异丙醇和过氧化氢超声清洗后，用氮气枪吹干，得到预处理基底；在氮气保护下，将MoO3粉末和S块在所述预处理基底的一面进行化学气相沉积，得到单层MoS2；在真空条件下，在所述单层MoS2的表面进行PbI2的物理气相沉积。本发明使用真空条件下PVD热沉积PbI2，在CVD生长的单层MoS2上外延生长了PbI2，该过程中生长的MoS2三角形边长在20～60μm，MoS2面积大，并且PbI2在整个单层MoS2上覆盖，避免了层间污染，可以更容易和大规模地生产，制造的器件性能会更好。

主权项

1.一种单层硫化钼调控碘化铅生长的方法，其特征在于，包括以下步骤：将基底依次用丙酮、异丙醇和过氧化氢超声清洗后，吹干，得到预处理基底；在氮气保护下，将MoO₃粉末和S块在所述预处理基底的一面进行化学气相沉积，得到单层MoS₂；在真空条件下，在所述单层MoS₂的表面进行PbI₂的物理气相沉积。