[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910584739.4 | 申请日： | 2019-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN111725307A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 岩鍜治阳子;末代知子;诹访刚史 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/167;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供的断开损失得以降低的半导体装置具备：第1及第2电极；第1及第2栅极电极；具有第1及第2面的半导体层，该半导体层具有：第1导电型的第1半导体区域，具有：第1部分；与第1部分相比载流子浓度高的第2部分；及与第2部分相比载流子浓度低的第3部分第2导电型的第2半导体区域，设置于第1半导体区域与第1面之间，与第1栅极电极对置；第1导电型的第3半导体区域，设置于第2半导体区域与第1面之间，与第1电极接触；第2导电型的第4半导体区域，设置于第1半导体区域与第2面之间，一部分与第2栅极电极对置，与第2电极接触；及第1导电型的第5半导体区域，设置于第4半导体区域与第2面之间，与第2电极接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，未经株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910584739.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
