[发明专利]一种突触晶体管、器件及其制造方法、运算阵列有效
| 申请号： | 201910577552.1 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110246891B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 唐彬;陈清;廖建辉 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/41;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种突触晶体管、突触器件及其制造方法、运算阵列。器件或晶体管的沟道层的材料为具有铁电特性的半导体材料，可以利用半导体材料的铁电特性，通过栅极或者源极、漏极向沟道层施加电压，使得沟道层中的铁电畴发生极化翻转，铁电畴的改变会使得沟道层的电导发生变化，从而，可以通过该电导的改变模拟突触行为，这样，就实现了用一个晶体管或器件来模拟一个突触行为，有利于芯片的小型化及集成化，与现有硅基工艺的兼容，并能降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 突触 晶体管 器件 及其 制造 方法 运算 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种突触晶体管，其特征在于，包括：沟道层，所述沟道层的材料为具有铁电特性的半导体材料；所述沟道层表面上的栅极；所述栅极与所述沟道层之间的栅介质层；分别与所述沟道层直接接触的源极和漏极。
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