[发明专利]金属纳米线导电薄膜的制备方法及薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201910577237.9 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110310891B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 夏玉明;卓恩宗 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司;滁州惠科光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;H01L29/45;H01L29/786 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 左帮胜 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金属纳米线导电薄膜的制备方法及薄膜晶体管，通过制备阳极氧化铝模板，利用原子层沉积技术在模板中制备金属纳米颗粒，从而使金属纳米颗粒高效稳定均匀地填充在模板的孔道中，从而通过孔道有序调节与控制金属纳米颗粒的排布情况及填充厚度，且提高生产效率；再对金属纳米颗粒进行加热退火处理获得直径大小均匀的金属纳米线，去除阳极氧化铝模板后获取金属纳米线成膜液，将金属纳米线成膜液沉积在基板上，从而获得厚度均匀稳定的金属纳米线导电薄膜，从而降低金属纳米线导电薄膜的雾度，实现更高的透明性和导电性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 纳米 导电 薄膜 制备 方法 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种金属纳米线导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括：制备阳极氧化铝模板；利用原子层沉积技术在所述阳极氧化铝模板的孔道中沉积金属纳米颗粒；对所述金属纳米颗粒进行加热退火处理，获取金属纳米线；去除所述阳极氧化铝模板，处理后获取金属纳米线成膜液；将所述金属纳米线成膜液沉积在基板上，获得金属纳米线导电薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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