[发明专利]金属纳米线导电薄膜的制备方法及薄膜晶体管

权利要求书

1.一种金属纳米线导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

制备阳极氧化铝模板；

利用原子层沉积技术在所述阳极氧化铝模板的孔道中沉积金属纳米颗粒；

对所述金属纳米颗粒进行加热退火处理，获取金属纳米线，所述加热退火处理的温度为100℃-300℃；

去除所述阳极氧化铝模板，处理后获取金属纳米线成膜液；

将所述金属纳米线成膜液沉积在基板上，获得金属纳米线导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备阳极氧化铝模板的步骤，包括：

提供铝基材，对所述铝基材进行预处理；

将经过预处理后的铝基材置于酸性电解液中进行二次氧化，扩孔处理，获得阳极氧化铝模板。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，将经过预处理后的铝基材置于酸性电解液中进行二次氧化的步骤，包括：

对所述铝基材置于酸性电解液中进行一次氧化生成氧化膜，氧化温度为0℃-30℃，电压为20V-60V，氧化时间为2h-5h；

去除所述氧化膜，对所述铝基材进行二次氧化，氧化温度为15℃-30℃。

4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述阳极氧化铝模板的孔径为2nm-200nm，孔道长为0.1μm-20μm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述利用原子层沉积技术在所述阳极氧化铝模板的孔道中沉积金属纳米颗粒的步骤，具体为：

在惰性环境中，向所述孔道脉冲交替通入金属前驱体和还原性气体；

其中，所述金属前驱体的通入时间为0.01s-0.2s，停留时间为2s-20s，吹扫时间为2s-30s；所述还原性气体的通入时间为0.01s-0.5s，停留时间为2s-20s，吹扫时间为2s-30s。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述金属前驱体包括铜前驱体和/或银前驱体。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将所述金属纳米线成膜液沉积在基板上的步骤包括：

将所述金属纳米线成膜液旋涂在基板上。

8.一种金属纳米线导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

制备阳极氧化铝模板；

利用原子层沉积技术在所述阳极氧化铝模板的孔道中沉积金属纳米颗粒；

对所述金属纳米颗粒进行加热退火处理，获取金属纳米线；

去除所述阳极氧化铝模板，处理后获取金属纳米线成膜液；

将所述金属纳米线成膜液沉积在基板上，获得金属纳米线导电薄膜；

其中，所述制备阳极氧化铝模板的步骤，包括：

提供铝基材，对所述铝基材进行预处理；

将经过预处理后的铝基材置于酸性电解液中进行二次氧化，获得阳极氧化铝模板；

所述阳极氧化铝模板的孔径为2nm-200nm，孔道长为0.1μm-20μm；

其中，所述利用原子层沉积技术在所述阳极氧化铝模板的孔道中沉积金属纳米颗粒的步骤，具体为：

在惰性环境中，向所述孔道脉冲交替通入金属前驱体和还原性气体；其中，所述金属前驱体的通入时间为0.01s-0.2s，停留时间为2s-20s，吹扫时间为2s-30s；所述还原性气体的通入时间为0.01s-0.5s，停留时间为2s-20s，吹扫时间为2s-30s；所述金属前驱体包括铜前驱体和/或银前驱体；所述还原性气体包括氢气等离子体；

其中，对所述金属纳米颗粒进行加热退火处理的温度为100℃-300℃。

9.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括电极层，所述电极层为如权利要求1-8任一项所述的制备方法制备获得的金属纳米线导电薄膜。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：

衬底；

栅极层，设置在所述衬底上；

栅极绝缘层，设置在所述衬底上覆盖所述栅极层；

半导体层，设置在栅极绝缘层上；

源漏极层，设置在所述半导体层上；

保护层，设置在所述栅极绝缘层上覆盖所述半导体层和所述源漏极层，贯穿所述源漏极层以形成第一源/漏极层和第二源/漏极层，部分贯穿所述半导体层；

其中，所述电极层设置在所述保护层上，并贯穿至所述第二源/漏极层。