[发明专利]半导体结构的形成方法在审

申请号：	201910575177.7	申请日：	2019-06-28
公开（公告）号：	CN110660672A	公开（公告）日：	2020-01-07
发明（设计）人：	陈思颖;邱雅文;赵晟博;詹易哲;廖志评;王永豪;薛森鸿	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336
代理公司：	72003 隆天知识产权代理有限公司	代理人：	谢强;黄艳
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	提供了一种半导体结构的形成方法，以及在形成半导体装置时进行高压退火工艺的方法与其装置。高压退火工艺可为高压干式高压退火工艺，其中退火的加压环境包括一或多种工艺气体。高压退火工艺可为湿式退火工艺，其中退火的加压环境包括蒸汽。
搜索关键词：	高压退火退火加压环境半导体结构半导体装置高压干式工艺气体退火工艺湿式蒸汽
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【主权项】：

1.一种半导体结构的形成方法，包括：/n蚀刻多个沟槽于一基板中，以形成一鳍状物；/n采用可流动的化学气相沉积工艺，以沉积一绝缘材料于该些沟槽的每一者中；/n将该绝缘材料置入一第一加压环境；以及/n在该绝缘材料处于该第一加压环境中时，在该绝缘材料上进行一第一退火，其中该第一加压环境的压力大于10大气压；/n薄化该绝缘材料以露出该鳍状物；/n形成一虚置栅极于该基板上；/n形成一层间介电层以围绕该虚置栅极；/n移除该虚置栅极以形成一开口；以及/n形成一栅极于该开口中。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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