[发明专利]一种碲镉汞台面成型方法有效
| 申请号： | 201910574337.6 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110335812B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 刘世光;张轶;谭振 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/467;H01L21/4757;H01L31/18;G03F7/16 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 张然 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碲镉汞台面成型方法，所述方法包括：在待光刻的碲镉汞表面涂覆光刻胶，并进行光刻，形成阵列化的光刻胶图形；第一次腐蚀设有光刻胶图形的碲镉汞表面以形成腐蚀槽，腐蚀槽上方悬空有光刻胶，腐蚀槽的深度为h1；采用坚膜工艺对光刻胶热处理，以使腐蚀槽上方悬空的光刻胶恰好覆盖腐蚀槽的侧壁；第二次腐蚀设有光刻胶图形的碲镉汞表面以形成隔离沟槽，隔离沟槽的深度为h2，其中，1/3≤h1/h2≤1/2；去除碲镉汞表面的光刻胶。采用本发明，不仅可以实现碲镉汞台面的无损伤制备，还可以实现对隔离沟槽的深宽比的控制，以解决碲镉汞台面侧向腐蚀严重的问题，从而可以保证碲镉汞台面的的占空比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲镉汞 台面 成型 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碲镉汞台面成型方法，其特征在于，包括：在待光刻的碲镉汞表面涂覆光刻胶，并进行光刻，形成阵列化的光刻胶图形；第一次腐蚀设有所述光刻胶图形的碲镉汞表面以形成腐蚀槽，所述腐蚀槽上方悬空有所述光刻胶，所述腐蚀槽的深度为h1；采用坚膜工艺对所述光刻胶热处理，以使所述腐蚀槽上方悬空的光刻胶恰好覆盖所述腐蚀槽的侧壁；第二次腐蚀设有所述光刻胶图形的碲镉汞表面以形成隔离沟槽，所述隔离沟槽的深度为h2，其中，1/3≤h1/h2≤1/2；去除所述碲镉汞表面的光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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