[发明专利]一种碲镉汞台面成型方法

权利要求书

1.一种碲镉汞台面成型方法，其特征在于，包括：

S101，在待光刻的碲镉汞表面涂覆光刻胶，并进行光刻，形成阵列化的光刻胶图形；

S102，第一次腐蚀设有所述光刻胶图形的碲镉汞表面以形成腐蚀槽，所述腐蚀槽上方悬空有所述光刻胶，所述腐蚀槽的深度为h1；

S103，采用坚膜工艺对所述光刻胶热处理，以使所述腐蚀槽上方悬空的光刻胶恰好覆盖所述腐蚀槽的侧壁；所述光刻胶通过坚膜工艺处理后形成具有流动性的半液体状态，在重力作用下，步骤S102中所述腐蚀槽上方悬空的半液体状态的光刻胶覆盖所述腐蚀槽的侧壁；

S104，第二次腐蚀设有所述光刻胶图形的碲镉汞表面以形成隔离沟槽，所述隔离沟槽的深度为h2，其中，1/3≤h1/h2≤1/2；

S105，去除所述碲镉汞表面的光刻胶。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻胶包括AZ系列正性光刻胶。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻胶的厚度为a，0.1μm≤a≤4μm。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次腐蚀设有所述光刻胶图形的碲镉汞表面具体包括：

采用浓盐酸和浓硝酸的混合溶液第一次腐蚀设有所述光刻胶图形的碲镉汞表面。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述浓盐酸和所述浓硝酸的比例为n，0.5≤n≤5。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用坚膜工艺对所述光刻胶热处理具体包括：

在第一预设时间t1内，采用温度95℃的热板加热所述光刻胶，其中，3min≤t1≤5min。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用坚膜工艺对所述光刻胶热处理具体包括：

在第二预设时间t2内，采用温度65℃的烘箱加热所述光刻胶，其中，1.5h≤t2≤3h。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻胶在所述待光刻的碲镉汞表面阵列分布。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，4μm≤h2≤6μm。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碲镉汞包括层叠排布的P型碲镉汞层和N型碲镉汞层，所述光刻胶涂覆于所述P型碲镉汞层远离所述N型碲镉汞层的表面。