[发明专利]一种碲镉汞台面成型方法

说明书

本发明公开了一种碲镉汞台面成型方法，所述方法包括：在待光刻的碲镉汞表面涂覆光刻胶，并进行光刻，形成阵列化的光刻胶图形；第一次腐蚀设有光刻胶图形的碲镉汞表面以形成腐蚀槽，腐蚀槽上方悬空有光刻胶，腐蚀槽的深度为h1；采用坚膜工艺对光刻胶热处理，以使腐蚀槽上方悬空的光刻胶恰好覆盖腐蚀槽的侧壁；第二次腐蚀设有光刻胶图形的碲镉汞表面以形成隔离沟槽，隔离沟槽的深度为h2，其中，1/3≤h1/h2≤1/2；去除碲镉汞表面的光刻胶。采用本发明，不仅可以实现碲镉汞台面的无损伤制备，还可以实现对隔离沟槽的深宽比的控制，以解决碲镉汞台面侧向腐蚀严重的问题，从而可以保证碲镉汞台面的的占空比。

技术领域

本发明涉及半导体结构成型领域，尤其涉及一种碲镉汞台面成型方法。

背景技术

相关技术中，由于台面湿法腐蚀工艺可以实现无损伤地制备碲镉汞台面，因此被广泛应用。但在采用台面湿法腐蚀工艺实现碲镉汞台面异质结p-on-n的台面工艺制备的过程中，由于腐蚀的各项同性，侧向腐蚀宽度为腐蚀深度的两倍，导致侧向腐蚀较为严重，致使台面的占空比很难保证。

发明内容

本发明实施例提供一种碲镉汞台面成型方法，用以解决现有技术中侧向腐蚀严重、台面的占空比控制难的问题。

本发明实施例提供一种碲镉汞台面成型方法，包括：

在待光刻的碲镉汞表面的涂覆光刻胶，并进行光刻，形成阵列化的光刻胶图形；

第一次腐蚀设有光刻胶图形的碲镉汞表面以形成腐蚀槽，腐蚀槽上方悬空有光刻胶，腐蚀槽的深度为h1；

采用坚膜工艺对光刻胶热处理，以使腐蚀槽上方悬空的光刻胶恰好覆盖腐蚀槽的侧壁；

第二次腐蚀设有光刻胶图形的碲镉汞表面以形成隔离沟槽，隔离沟槽的深度为h2，其中，1/3≤h1/h2≤1/2；

去除碲镉汞表面的光刻胶。

根据本发明的一些实施例，光刻胶包括AZ系列正性光刻胶。

根据本发明的一些实施例，光刻胶的厚度为a，0.1μm≤a≤4μm。

根据本发明的一些实施例，光刻后的光刻胶阵列图形包括但不限于方形、圆形、多边形等图形。

根据本发明的一些实施例，第一次腐蚀设有光刻胶图形的碲镉汞表面具体包括：

采用浓盐酸和浓硝酸的混合溶液第一次腐蚀设有光刻胶图形的碲镉汞表面。

进一步地，浓盐酸和浓硝酸的比例为n，0.5≤n≤5。

根据本发明的一些实施例，采用坚膜工艺对光刻胶热处理具体包括：

在第一预设时间t1内，采用温度95℃的热板加热光刻胶，其中，3min≤t1 ≤5min。

根据本发明的一些实施例，采用坚膜工艺对光刻胶热处理具体包括：

在第二预设时间t2内，采用温度65℃的烘箱加热光刻胶，其中，1.5h≤t2 ≤3h。

根据本发明的一些实施例，光刻胶在待光刻的碲镉汞表面阵列分布。

根据本发明的一些实施例，4μm≤h2≤6μm。

根据本发明的一些实施例，碲镉汞包括层叠排布的P型碲镉汞层和N型碲镉汞层，光刻胶涂覆于P型碲镉汞层远离N型碲镉汞层的表面。

根据本发明的一些实施例，光刻胶去除采用丙酮或其他光刻胶去除溶液浸泡的方式。

采用本发明实施例，不仅可以实现碲镉汞台面的无损伤制备，还可以实现对隔离沟槽的深宽比的控制，以解决碲镉汞台面侧向腐蚀严重的问题，从而可以保证碲镉汞台面的的占空比。