[发明专利]PIN二极管中的高效散热有效
申请号: | 201910567986.3 | 申请日: | 2019-06-27 |
公开(公告)号: | CN111384007B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | E·J·诺伯格;N·达尔凡德;G·A·菲什 | 申请(专利权)人: | 瞻博网络公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L29/868;H01L21/48 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开的实施例涉及PIN二极管中的高效散热。可以用热传导通孔来减少集成在绝缘体上半导体衬底上的p‑i‑n二极管的热阻抗,该热传导的通孔使热量跨热屏障分流,该热屏障诸如例如通常封装p‑i‑n二极管的厚的顶氧化物包层。在各种实施例中,一个或多个热传导通孔从本征二极管层的顶表面延伸至连接至二极管的掺杂的顶层的金属结构,和/或从该金属结构向下至少延伸至衬底的半导体器件层。 | ||
搜索关键词: | pin 二极管 中的 高效 散热 | ||
【主权项】:
暂无信息
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