[发明专利]一种X波段10瓦功率放大模块的制作工艺在审

专利信息
申请号: 201910565356.2 申请日: 2019-06-27
公开(公告)号: CN110290692A 公开(公告)日: 2019-09-27
发明(设计)人: 汪伦源;费文军;陈兴盛;朱良凡;蔡庆刚;张丽;周二风;曹振玲 申请(专利权)人: 安徽华东光电技术研究所有限公司
主分类号: H05K13/04 分类号: H05K13/04;H05K3/34;H03F3/20
代理公司: 芜湖金钥匙专利代理事务所(普通合伙) 34151 代理人: 谢建华
地址: 241000 安徽省芜*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供了一种X波段10瓦功率放大模块的制作工艺,包括以下步骤:步骤1、将射频电路板烧结到腔体内;步骤2、功率放大芯片共晶,并将共晶后的功率放大芯片烧结到腔体内;步骤3、将阻容器件胶结到射频电路板上;步骤4、金丝键合;步骤5、将测试好的组件封盖。本发明设计合理,借助微电子组封装工艺技术,进行X波段10瓦功率放大模块的制作,制作出来的X波段10瓦功率放大模块经过环境试验完全达到技术指标要求,同时具有重量轻、指标优异、功耗小、增益大、体积小、可靠性高的特点,工艺流程简便、科学,提高了产品的合格率以及车间的生产效率,适合大批量生产。
搜索关键词: 功率放大模块 功率放大芯片 射频电路板 制作工艺 烧结 共晶 体内 封装工艺技术 技术指标要求 环境试验 金丝键合 生产效率 阻容器件 工艺流程 体积小 重量轻 封盖 功耗 胶结 制作 微电子 合格率 测试 车间 生产
【主权项】:
1.一种X波段10瓦功率放大模块的制作工艺,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、将射频电路板绝缘子烧结到腔体内;步骤2、功率放大芯片共晶,并将共晶后的功率放大芯片烧结到腔体内;步骤3、将阻容器件胶结到射频电路板上;步骤4、金丝键合;步骤5、将测试好的组件封盖。
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