[发明专利]半导体存储器件在审
| 申请号： | 201910559540.6 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110676255A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 秋成旼;权赫宇;金长燮 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L49/02;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 半导体存储器件包括：下电极，每个下电极围绕内部空间；位于下电极的顶表面上的上支撑层，上支撑层位于由下电极围绕的内部空间中；在上支撑层上的上电极，上电极填充第一区域和第二区域，第二区域穿透上支撑层，并且第一区域从第二区域延伸到下电极之间。每个下电极包括：与第二区域垂直交叠的第一部分，第一部分的顶表面由上支撑层暴露；由上支撑层覆盖的第二部分，第二部分的顶表面与上支撑层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 上支撑层 下电极 第二区域 顶表面 第一区域 电极 半导体存储器件 交叠 填充 穿透 垂直 暴露 延伸 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：/n下电极，所述下电极中的每个下电极围绕内部空间；/n在所述下电极的顶表面上的上支撑层，所述上支撑层位于由所述下电极围绕的所述内部空间中；和/n在所述上支撑层上的上电极，所述上电极填充第一区域和第二区域，所述第二区域穿透所述上支撑层，并且所述第一区域从所述第二区域延伸到所述下电极之间，/n其中每个所述下电极包括：/n与所述第二区域垂直交叠的第一部分，所述第一部分的顶表面由所述上支撑层暴露，和/n由所述上支撑层覆盖的第二部分，所述第二部分的顶表面与所述上支撑层接触。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
