[发明专利]半导体存储器件

说明书

半导体存储器件包括：下电极，每个下电极围绕内部空间；位于下电极的顶表面上的上支撑层，上支撑层位于由下电极围绕的内部空间中；在上支撑层上的上电极，上电极填充第一区域和第二区域，第二区域穿透上支撑层，并且第一区域从第二区域延伸到下电极之间。每个下电极包括：与第二区域垂直交叠的第一部分，第一部分的顶表面由上支撑层暴露；由上支撑层覆盖的第二部分，第二部分的顶表面与上支撑层接触。

技术领域

实施方式涉及半导体存储器件，更具体地，涉及具有改善的电特性的半导体存储器件。

背景技术

电子工业(例如，便携式电话和笔记本)中越来越需要轻、小、高速、多功能、高性能、高可靠性和低价格的电子元件。为了满足这些要求，可能需要增加半导体存储器件的集成密度。另外，可能需要提高半导体存储器件的性能。

可以增加电容器的电容以提高包括电容器的高度集成的半导体存储器件的可靠性。例如，随着电容器的下电极的高宽比增加，电容器的电容可以增加。因此，对形成具有高高宽比的电容器的工艺技术进行了各种研究。

发明内容

在一个方面，半导体存储器件可以包括下电极、设置在下电极的顶表面上的上支撑层、以及设置在上支撑层上并填充穿透上支撑层的第一区域和从第一区域延伸到下电极之间的第二区域的上电极。每个下电极可以包括与第一区域交叠的第一部分以及由上支撑层覆盖的第二部分。第一部分的顶表面可以通过上支撑层暴露，并且第二部分的顶表面可以与上支撑层接触。上支撑层可以设置在由每个下电极围绕的内部空间中。

在一个方面，半导体存储器件可以包括下电极、设置在下电极的顶表面上的上支撑层、以及设置在上支撑层上并填充穿透上支撑层的第一区域和从第一区域延伸到下电极之间的第二区域的上电极。每个下电极可以包括与第一区域交叠的第一部分以及由上支撑层覆盖的第二部分。第一部分可以不与上支撑层垂直交叠，并且第二部分可以与上支撑层垂直交叠。上支撑层可以设置在由每个下电极围绕的内部空间中。

在一个方面，半导体存储器件可以包括下电极、设置在下电极的顶表面上的上支撑层、以及设置在上支撑层上并填充穿透上支撑层的第一区域和从第一区域延伸到下电极之间的第二区域的上电极。每个下电极可以包括与第一区域交叠的第一部分以及由上支撑层覆盖的第二部分。第一部分的外侧壁可以与上支撑层间隔开，并且第二部分的外侧壁可以与上支撑层接触。上支撑层可以设置在由每个下电极围绕的内部空间中。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施方式，特征对于本领域技术人员将变得显而易见，其中：

图1示出了根据一些实施方式的半导体存储器件的平面图。

图2示出了沿图1中的线I-I'的截面图。

图3示出了根据一些实施方式的半导体存储器件的对应于图1的线I-I'的截面图。

图4至图9示出了根据一些实施方式的制造半导体存储器件的方法中的多个阶段的对应于图1的线I-I'的截面图。

图10至图15示出了根据一些实施方式的制造半导体存储器件的方法中的多个阶段的对应于图1的线I-I'的截面图。

具体实施方式

图1是示出根据一些实施方式的半导体存储器件的平面图，例如，动态随机存取存储器(DRAM)。图2是沿图1的线I-I'截取的截面图，示出了根据一些实施方式的半导体存储器件。