[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

下电极，所述下电极中的每个下电极围绕内部空间；

在所述下电极的顶表面上的上支撑层，所述上支撑层位于由所述下电极围绕的所述内部空间中；和

在所述上支撑层上的上电极，所述上电极填充第一区域和第二区域，所述第二区域穿透所述上支撑层，并且所述第一区域从所述第二区域延伸到所述下电极之间，

其中每个所述下电极包括：

与所述第二区域垂直交叠的第一部分，所述第一部分的顶表面由所述上支撑层暴露，和

由所述上支撑层覆盖的第二部分，所述第二部分的顶表面与所述上支撑层接触。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一部分的所述顶表面位于比所述第二部分的所述顶表面低的水平。

3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述上支撑层位于所述第二部分的外侧壁的上部上。

4.如权利要求3所述的半导体存储器件，其中在所述内部空间中的所述上支撑层的底表面位于比在所述第二部分的所述外侧壁的所述上部上的所述上支撑层的底表面低的水平处。

5.如权利要求1所述的半导体存储器件，还包括在所述下电极的外侧壁上的下支撑层，所述下支撑层在所述上支撑层下面。

6.如权利要求5所述的半导体存储器件，其中所述上电极穿透在所述第一部分的外侧壁上的所述下支撑层的部分，并且所述上电极不穿透在所述第二部分的外侧壁上的所述下支撑层的部分。

7.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述上支撑层与所述下电极的内侧壁接触，并且与所述下电极的底表面间隔开。

8.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述上支撑层包括SiOC、SiBN、SiCN、掺杂的SiN和Si中的至少一种。

9.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第二部分的侧壁与所述上支撑层接触。

10.如权利要求9所述的半导体存储器件，其中所述上支撑层和所述第二部分的内侧壁之间的接触区域大于所述上支撑层和所述第二部分的外侧壁之间的接触区域。

11.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中当在截面图中观察时，每个所述下电极具有U形形状。

12.如权利要求1所述的半导体存储器件，还包括在所述上电极和所述下电极之间以及在所述上电极和所述上支撑层之间的电介质层，

其中所述电介质层与所述第一部分的所述顶表面接触，并且

其中所述电介质层与所述第二部分的所述顶表面间隔开。

13.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中在每个所述下电极的底表面与在所述内部空间中的所述上支撑层的底表面之间的所述内部空间被填充有空气。

14.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中每个所述下电极的所述第二部分不与所述第一区域垂直交叠。

15.一种半导体存储器件，包括：

下电极，所述下电极中的每个下电极围绕内部空间；

在所述下电极的顶表面上的上支撑层，所述上支撑层位于由所述下电极围绕的所述内部空间中；和

在所述上支撑层上的上电极，所述上电极填充第一区域和第二区域，所述第二区域穿透所述上支撑层，并且所述第一区域从所述第二区域延伸到所述下电极之间，

其中每个所述下电极包括：

与所述第二区域垂直交叠的第一部分，所述第一部分在垂直方向上不与所述上支撑层交叠，以及

由所述上支撑层覆盖的第二部分，所述第二部分与所述上支撑层垂直交叠。