[发明专利]一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法有效
| 申请号： | 201910551455.5 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN112133795B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 蒙成;蔡景元;吴俊毅 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78;H01L27/15 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其包括：（1）在一临时衬底的一面侧获得单元化的阵列式半导体发光元件，每一半导体发光元件包括一释放层，释放层具有水平的延伸部分位于每一半导体发光元件至少一侧并覆盖在临时衬底上；（2）制作支撑结构在每一半导体发光元件至少一侧，支撑结构的底部或侧壁与释放层水平的延伸部分接触式连接；（3）粘接一支撑基板在支撑结构的上方；（4）移除临时衬底，使释放层的水平延伸部分以及多个半导体发光元件的表面从同一侧被暴露，获得适于转移的支撑的半导体发光元件阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 适于 转移 半导体 发光 元件 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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