[发明专利]液晶显示设备、半导体器件和电子设备在审
| 申请号： | 201910539600.8 | 申请日： | 2007-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN110262140A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 木村肇 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;G02F1/13;G02F1/1362;H01L29/40;H01L27/12;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 肖靖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及液晶显示设备、半导体器件和电子设备。液晶显示设备包括在基础绝缘膜(101)上形成并且源极(102d)、沟道形成区(102a)和漏极(102b)在其中形成的岛形第一半导体膜(102)；由与作为源极(102d)或漏极(102b)的第一半导体膜(102)相同的材料形成并且在基础绝缘膜(101)上形成的第一电极(102c)；在第一电极(102c)上形成并且包括第一开口图案(112)的第二电极(108)；以及提供在第二电极(108)上的液晶(110)。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶显示设备 半导体器件 半导体膜 第二电极 第一电极 电子设备 绝缘膜 漏极 源极 沟道形成区 材料形成 开口图案 岛形 液晶 | ||
【主权项】：
1.一种液晶显示设备，包括：在衬底之上的第一电极；在所述衬底之上的半导体层；在所述第一电极和所述半导体层之上的第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜之上的栅电极；在所述第一绝缘膜之上的像素电极；在所述像素电极之上的液晶；在所述第一绝缘膜之上的包含金属材料的辅助布线；以及在所述辅助布线之上的连接布线，其中所述第一电极通过所述连接布线电连接于所述辅助布线，并且其中所述像素电极电连接于所述半导体层。
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