[发明专利]液晶显示设备、半导体器件和电子设备

说明书

本发明涉及液晶显示设备、半导体器件和电子设备。液晶显示设备包括在基础绝缘膜(101)上形成并且源极(102d)、沟道形成区(102a)和漏极(102b)在其中形成的岛形第一半导体膜(102)；由与作为源极(102d)或漏极(102b)的第一半导体膜(102)相同的材料形成并且在基础绝缘膜(101)上形成的第一电极(102c)；在第一电极(102c)上形成并且包括第一开口图案(112)的第二电极(108)；以及提供在第二电极(108)上的液晶(110)。

本分案申请是基于申请号为201510441592.5、申请日为2007年4月6日、发明名称为“液晶显示设备、半导体器件和电子设备”的中国专利申请的分案申请，其中上述申请时基于申请号为200710096732.5、发明名称为“液晶显示设备、半导体器件和电子设备”的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件、一种液晶显示设备，以及一种包括它们的电子设备。特别地，本发明涉及一种半导体器件和一种液晶显示设备，其中产生通常与衬底平行的电场以控制液晶分子，以及一种包括该半导体器件或液晶显示设备的电子设备。

背景技术

作为液晶显示设备的技术发展的计划之一，可以给出加宽视角。作为一种实现宽视角的技术，使用产生通常与衬底平行的电场并且液晶分子在与衬底平行的平面中移动以控制灰度级的方式。作为这种方式，给出IPS(平面转换)和FFS(边缘电场转换)。在这些方式中，具有裂缝(开口图案)的第一电极(例如使用其控制每个像素的电压的像素电极)位于液晶下，并且第二电极(例如公共电压使用其施加到所有像素的公共电极)位于第一电极下。电场施加在像素电极与公共电极之间，从而控制液晶。使用这种布局，与衬底平行的方向上的电场施加到液晶。因此，可以使用电场控制液晶分子。也就是，可以在与衬底平行的方向上控制与衬底平行对准的液晶分子(所谓水平配向)；因此，视角增加。

常规地，公共电极和像素电极都由ITO(氧化铟锡)形成(专利文献1：日本发表专利申请号2000-89255(图5和第14段))。

发明内容

如上所述，在使用第二电极(例如公共电极)位于第一电极(例如像素电极)下的结构的情况下，公共电极和像素电极常规地都由ITO形成。因此，制造步骤和掩模的数目，以及制造成本增加。本发明考虑到前述而创造，并且本发明的目的在于提供一种具有宽视角的液晶显示设备和电子设备，与常规设备相比较具有较少数目的制造步骤和掩模以及低制造成本；以及提供一种液晶显示设备的制造方法。

为了解决前述问题，根据本发明的液晶显示设备包括在衬底上形成的第一电极，在第一电极上形成的绝缘薄膜，在绝缘薄膜上形成的第二电极，以及提供在第二电极上的液晶；其中第二电极具有开口图案并且第一电极具有包含硅的半导体薄膜。

根据本发明的半导体器件包括在衬底上形成的第一电极，在第一电极上形成的绝缘薄膜，以及在绝缘薄膜上形成的第二电极；其中第二电极具有开口图案并且第一电极具有包含硅的半导体薄膜。

根据本发明的液晶显示设备包括在衬底上形成的第一电极，在第一电极上形成的绝缘薄膜，在绝缘薄膜上形成的第二电极，提供在第二电极上的液晶，以及在衬底上形成的晶体管；其中第二电极具有开口图案，第一电极具有包含硅的半导体薄膜，晶体管具有包含硅的半导体薄膜，以及包含在第一电极中的半导体薄膜与包含在晶体管中的半导体薄膜同时形成。

根据本发明的半导体器件包括在衬底上形成的第一电极，在第一电极上形成的绝缘薄膜，在绝缘薄膜上形成的第二电极，以及在衬底上形成的晶体管；其中第二电极具有开口图案，第一电极具有包含硅的半导体薄膜，晶体管具有包含硅的半导体薄膜，以及包含在第一电极中的半导体薄膜与包含在晶体管中的半导体薄膜同时形成。