[发明专利]液晶显示设备、半导体器件和电子设备在审
| 申请号： | 201910539600.8 | 申请日： | 2007-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN110262140A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 木村肇 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;G02F1/13;G02F1/1362;H01L29/40;H01L27/12;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 肖靖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 液晶显示设备 半导体器件 半导体膜 第二电极 第一电极 电子设备 绝缘膜 漏极 源极 沟道形成区 材料形成 开口图案 岛形 液晶 | ||
1.一种液晶显示设备，包括：
在衬底之上的第一电极；
在所述衬底之上的半导体层；
在所述第一电极和所述半导体层之上的第一绝缘膜；
在所述第一绝缘膜之上的栅电极；
在所述第一绝缘膜之上的像素电极；
在所述像素电极之上的液晶；
在所述第一绝缘膜之上的包含金属材料的辅助布线；以及
在所述辅助布线之上的连接布线，
其中所述第一电极通过所述连接布线电连接于所述辅助布线，并且
其中所述像素电极电连接于所述半导体层。
2.一种液晶显示设备，包括：
在衬底之上的公共电极；
在所述衬底之上的半导体层；
在所述公共电极和所述半导体层之上的第一绝缘膜；
在所述第一绝缘膜之上的栅电极；
在所述第一绝缘膜之上的像素电极；
在所述像素电极之上的液晶；
在所述第一绝缘膜之上的包含金属材料的辅助布线；以及
在所述辅助布线之上的连接布线，
其中所述公共电极通过所述连接布线电连接于所述辅助布线，并且
其中所述像素电极电连接于所述半导体层。
3.根据权利要求2所述的液晶显示设备，其中所述液晶的取向由所述公共电极与所述像素电极之间的电场控制。
4.根据权利要求2所述的液晶显示设备，包括：在所述栅电极之上的第二绝缘膜，其中所述像素电极在所述第二绝缘膜之上。
5.根据权利要求1或2所述的液晶显示设备，其中所述像素电极包括开口。
6.一种包括根据权利要求1或2所述的液晶显示设备的电子设备。
7.一种半导体器件，包括：
在衬底之上的公共电极；
在所述衬底之上的半导体层；
在所述公共电极和所述半导体层之上的第一绝缘膜；
在所述第一绝缘膜之上的栅电极；
在所述第一绝缘膜之上的像素电极；
在所述第一绝缘膜之上的包含金属材料的辅助布线；以及
在所述辅助布线之上的连接布线，
其中所述公共电极通过所述连接布线电连接于所述辅助布线，并且
其中所述像素电极电连接于所述半导体层。
8.一种半导体器件，包括：
在衬底之上的第一电极；
在所述衬底之上的半导体层；
在所述第一电极之上的第一绝缘膜；
在所述第一绝缘膜之上的栅电极；
在所述第一绝缘膜之上的像素电极；
在所述第一绝缘膜之上的包含金属材料的辅助布线；以及
在所述辅助布线之上的连接布线，
其中所述第一电极通过所述连接布线电连接于所述辅助布线，并且
其中所述像素电极电连接于所述半导体层。
9.根据权利要求7或8所述的半导体器件，包括：在所述栅电极之上的第二绝缘膜，其中所述像素电极在所述第二绝缘膜之上。
10.根据权利要求7或8所述的半导体器件，其中所述像素电极包括开口。
11.一种包括根据权利要求7或8所述的半导体器件的电子设备。
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