[发明专利]一种基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于二维Ga₂S₃纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管及其制备方法。所述可弯曲式场效应光电晶体管，自下至上依次包括柔性衬底、二维Ga₂S₃纳米片，且所述二维Ga₂S₃纳米片层的上方设有源电极、漏电极和栅电极；栅电极设置在源电极和漏电极之间。本发明提供了一种在SiO₂/Si衬底上直接用CVD法直接外延生长大面积Ga₂S₃材料，再通过机械剥离转移实现了柔性化可弯曲式场效应光电晶体管的制备，制备方法具有工艺简单、省时高效以及能耗低的特点，有利于规模化生产。本发明的场效应光电晶体管可应用于智能穿戴、弯曲显示、工业自动控制、可见光通信等领域，经济效益可观。

主权项

1.一种基于二维Ga₂S₃纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管，其特征在于：自下至上依次包括柔性衬底（1）和二维Ga₂S₃纳米片（2），且所述二维Ga₂S₃纳米片层（2）的上方设有源电极（3）、漏电极（5）和栅电极（4），栅电极（4）设置在源电极（3）和漏电极（5）之间。