[发明专利]雪崩光电二极管的偏压控方法和装置、存储介质有效

专利信息
申请号: 201910528075.X 申请日: 2019-06-18
公开(公告)号: CN110244812B 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 徐刚;刘子钊;朱立岗;覃育富;孙忠玉;王雪云;陈雷;张朋良;肖少剑 申请(专利权)人: 珠海优特电力科技股份有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 周婷婷
地址: 519000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种雪崩光电二极管的偏压控方法和装置、存储介质。该方法包括:获取位于光纤传感系统中的雪崩光电二极管APD的参数信息及与APD连接的目标段光纤的参数信息;在检测到APD的第一环境温度从第一温度值变化为第二温度值的情况下,根据APD的属性信息及第二温度值,确定第一偏压值;根据目标段光纤的第二环境温度及光信号强度,对第一偏压值进行调整,得到第二偏压值;按照第二偏压值对与APD关联的偏压控制电路执行偏压控制操作。本发明解决了对APD的偏压控制操作复杂度较高的技术问题。
搜索关键词: 雪崩 光电二极管 偏压 方法 装置 存储 介质
【主权项】:
1.一种雪崩光电二极管的偏压控制方法,其特征在于,包括:获取位于光纤传感系统中的雪崩光电二极管APD的参数信息及与所述APD连接的目标段光纤的参数信息,其中,所述APD的参数信息包括所述APD的属性信息及所述APD当前所在环境的第一环境温度,所述目标段光纤的参数信息包括所述目标段光纤当前所在环境的第二环境温度以及所述目标段光纤在所述第二环境温度下的光信号强度;在检测到所述APD的所述第一环境温度从第一温度值变化为第二温度值的情况下,根据所述APD的属性信息及所述第二温度值,确定第一偏压值;根据所述目标段光纤的所述第二环境温度及所述光信号强度,对所述第一偏压值进行调整,得到第二偏压值;按照所述第二偏压值对与所述APD关联的偏压控制电路执行偏压控制操作。
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