[发明专利]雪崩光电二极管的偏压控方法和装置、存储介质

说明书

本发明公开了一种雪崩光电二极管的偏压控方法和装置、存储介质。该方法包括：获取位于光纤传感系统中的雪崩光电二极管APD的参数信息及与APD连接的目标段光纤的参数信息；在检测到APD的第一环境温度从第一温度值变化为第二温度值的情况下，根据APD的属性信息及第二温度值，确定第一偏压值；根据目标段光纤的第二环境温度及光信号强度，对第一偏压值进行调整，得到第二偏压值；按照第二偏压值对与APD关联的偏压控制电路执行偏压控制操作。本发明解决了对APD的偏压控制操作复杂度较高的技术问题。

技术领域

本发明涉及光纤传感领域，具体而言，涉及一种雪崩光电二极管的偏压控方法和装置、存储介质。

背景技术

雪崩光电二级管(Avalanche Photo Diode，简称APD)具有很高的灵敏度和内部增益，可大大提高探测器系统的探测灵敏度和信噪比。但是APD的增益和击穿电压常常会随温度变化，因而在应用时往往需对APD偏压进行温度补偿，以保证APD的增益恒定、APD不被高压反向击穿。

目前，对APD偏压进行温度补偿的方法有以下几种：1、采取TEC恒温方法。但功耗大，设备运行温度高，影响系统稳定性及设备使用寿命。2、电路补偿方法。但APD增益和击穿电压具有离散差异性，生产时需对每个分别APD进行测试、修改电路参数，使得生产流程更加繁琐，造成批量生产效率低的问题。此外，APD的偏压随温度变化是非线性的，导致对APD的偏压控制操作复杂度较高的问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种雪崩光电二极管的偏压控制方法和装置、存储介质，以至少解决相关技术中由于APD的偏压随温度变化是非线性的，导致对APD的偏压控制操作复杂度较高的问题。

根据本发明的一个实施例，提供了一种雪崩光电二极管的偏压控制方法，包括：获取位于光纤传感系统中的雪崩光电二极管APD的参数信息及与上述APD连接的目标段光纤的参数信息，其中，上述APD的参数信息包括上述APD的属性信息及上述APD当前所在环境的第一环境温度，上述目标段光纤的参数信息包括上述目标段光纤当前所在环境的第二环境温度以及上述目标段光纤在上述第二环境温度下的光信号强度；在检测到上述APD的上述第一环境温度从第一温度值变化为第二温度值的情况下，根据上述APD的属性信息及上述第二温度值，确定第一偏压值；根据上述目标段光纤的上述第二环境温度及上述光信号强度，对上述第一偏压值进行调整，得到第二偏压值；按照上述第二偏压值对与上述APD关联的偏压控制电路执行偏压控制操作。

可选地，上述根据上述APD的属性信息及上述第二温度值，确定第一偏压值包括：从上述APD的属性信息中读取上述APD的分段点温度、分段点基础偏压、分段温度系数，其中，上述分段点温度为在与上述APD相匹配的偏压控制模型中温度系数发生变化的温度，上述分段点基础偏压为在上述偏压控制模型中与上述分段点温度对应的偏压，上述分段温度系数为上述偏压控制模型中的曲线斜率，上述偏压控制模型用于指示上述APD的击穿电压与环境温度之间的关系曲线；在上述第二温度值大于上述分段点温度的情况下，获取上述第二温度值与上述分段点温度之间的第一差值；根据上述第一差值、上述分段点基础偏压及上述分段温度系数中的第一系数确定上述第一偏压值，其中，上述第一系数与上述分段点温度相匹配；在上述第二温度值小于上述分段点温度的情况下，获取上述第二温度值与上述分段点温度之间的第二差值；根据上述第二差值、上述分段点基础偏压及上述分段温度系数中的第二系数确定上述第一偏压值，其中，上述第二系数与上述分段点温度相匹配。

可选地，在上述根据上述APD的属性信息及上述第二温度值，确定第一偏压值之前，还包括：检测上述APD的上述第一环境温度；在确定上述APD在当前检测周期的上述第一环境温度为上述第二温度值，上述APD在上述当前检测周期之前的上一个检测周期的上述第一环境温度为上述第一温度值的情况下，确定上述APD的上述第一环境温度发生变化。