[发明专利]晶圆减薄方法

摘要

本发明提供一种晶圆减薄方法，其包括以下步骤：S1，向反应腔室内通入沉积气体，并开启上电极电源，以在晶圆的待减薄表面上沉积薄膜；S2，关闭上电极电源，并停止通入沉积气体，然后向反应腔室内通入刻蚀气体；S3，开启上电极电源和下电极电源，以刻蚀沉积有薄膜的晶圆，直至薄膜被耗尽，且晶圆被减薄的厚度达到预设厚度；S4，关闭上电极电源和下电极电源，并停止通入刻蚀气体，然后向反应腔室内通入沉积气体；S5，判断交替循环进行步骤S1至步骤S4的当前循环数是否等于总循环数，若是，则结束；若否，则使当前循环数加1，并返回步骤S1。本发明提供的晶圆减薄方法，用于提高厚度均匀性和表面粗糙度。

主权项

1.一种晶圆减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，向反应腔室内通入沉积气体，并开启上电极电源，以在晶圆的待减薄表面上沉积薄膜；S2，关闭所述上电极电源，并停止通入所述沉积气体，然后向所述反应腔室内通入刻蚀气体；S3，开启上电极电源和下电极电源，以刻蚀沉积有所述薄膜的晶圆，直至所述薄膜被耗尽，且所述晶圆被减薄的厚度达到预设厚度；S4，关闭所述上电极电源和下电极电源，并停止通入所述刻蚀气体，然后向所述反应腔室内通入所述沉积气体；S5，判断交替循环进行所述步骤S1至所述步骤S4的当前循环数是否等于总循环数，若是，则结束；若否，则使所述当前循环数加1，并返回所述步骤S1。