[发明专利]晶圆减薄方法

权利要求书

1.一种晶圆减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，向反应腔室内通入沉积气体，并开启上电极电源，以在晶圆的待减薄表面上沉积薄膜；

S2，关闭所述上电极电源，并停止通入所述沉积气体，然后向所述反应腔室内通入刻蚀气体；

S3，开启上电极电源和下电极电源，以刻蚀沉积有所述薄膜的晶圆，直至所述薄膜被耗尽，且所述晶圆被减薄的厚度达到预设厚度；

S4，关闭所述上电极电源和下电极电源，并停止通入所述刻蚀气体，然后向所述反应腔室内通入所述沉积气体；

S5，判断交替循环进行所述步骤S1至所述步骤S4的当前循环数是否等于总循环数，若是，则结束；若否，则使所述当前循环数加1，并返回所述步骤S1。

2.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述沉积气体包括三氯化硼气体、氧气和碳氟类气体中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述碳氟类气体包括八氟环丁烷、四氟化碳或者三氟甲烷。

4.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述刻蚀气体包括六氟化硫气体和氧气中的至少一种，或者氯气。

5.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，在所述步骤S1中，通过调节工艺时间和/或所述上电极电源的输出功率，来调节所述薄膜的厚度。

6.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，在所述步骤S3中，通过调节工艺时间和/或所述上电极电源的输出功率，来调节所述晶圆被减薄的厚度。

7.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述步骤S1的工艺时间的取值范围在1s-2s。

8.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述步骤S2的工艺时间的取值范围在0.4s-2s。

9.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述步骤S4的工艺时间的取值范围在0.4s-2s。

10.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述晶圆减薄方法应用于12寸晶圆的整体减薄。