[发明专利]3D NAND存储器及其形成方法

摘要

一种3D NAND存储器及其形成方法，其中所述3D NAND存储器的形成方法，通过第一栅极隔槽区域中第一栅极隔槽和若干栅极隔槽隔断区将第一栅极隔槽区域的选择栅牺牲层断开，通过通孔区域中的选择栅隔断区将通孔区域的选择栅牺牲层断开，虽然第一栅极隔槽和若干栅极隔槽隔断区会将第一栅极隔槽区域顶层选择栅牺牲层断开，但是栅极隔槽隔断区底部的牺牲层仍是被保留的，即在形成第一栅极隔槽时每个存储块区中每一层的牺牲层和隔离层还是连接在一起的，因而在形成第一栅极隔槽时，使得堆叠结构的仍能保持很强的支撑强度，因而使第一栅极隔槽的侧壁不容易变形或倾斜，从而保证形成的第一栅极隔槽的特征尺寸的稳定性。

主权项

1.一种3D NAND存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有牺牲层和隔离层交替层叠的堆叠结构，将所述堆叠结构中最顶层的一层牺牲层做为顶层选择栅牺牲层，所述堆叠结构包括若干存储块区，每个存储块区包括平行于第一方向的若干通孔区域以及将若干通孔区域分隔开的若干第一栅极隔槽区域；在所述通孔区域的顶层选择栅牺牲层中形成选择栅隔断区，所述选择栅隔断区在平行于第一方向的方向将通孔区域的顶层选择栅牺牲层断开；在所述第一栅极隔槽区域的顶层选择栅牺牲层中形成若干栅极隔槽隔断区，若干栅极隔槽隔断区在垂直于第一方向的方向将第一栅极隔槽区域的顶层选择栅牺牲层断开；以所述栅极隔槽隔断区为掩膜，刻蚀第一栅极隔槽区域中的堆叠结构，在所述第一栅极隔槽区域中的沿垂直方向贯穿堆叠结构的第一栅极隔槽，通过第一栅极隔槽和栅极隔槽隔断区将第一栅极隔槽区域的选择栅牺牲层断开，第一栅极隔槽区域中栅极隔槽隔断区底部的牺牲层仍是连通的；形成第一栅极隔槽后，去除所述顶层选择栅牺牲层和堆叠结构中的其他牺牲层，在顶层选择栅牺牲层去除的位置对应形成顶层选择栅，在其他牺牲层去除的位置对应形成控制栅；在所述第一栅极隔槽中形成第一阵列共源极。