[发明专利]一种晶圆后处理系统和方法在审
| 申请号： | 201910517084.9 | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN110391157A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 赵德文;李长坤;路新春 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张建纲 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及化学机械抛光后处理技术领域，公开了一种晶圆后处理系统和方法，系统包括：清洗槽，用于容纳清洗晶圆的清洗液；晶圆提升装置，用于从清洗液中提升浸没于清洗液的晶圆；晶圆提升装置包括：第一移动机构，用于固定晶圆的位于清洗液中的下侧位置进行提升；第二移动机构，用于在第一移动机构将晶圆提升至预设位置时，固定晶圆的位于清洗液液面以上的已经被清洗干燥的上侧位置继续提升直至晶圆脱离清洗液。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 清洗液 移动机构 后处理系统 提升装置 种晶 化学机械抛光 清洗液液面 后处理 清洗干燥 上侧位置 下侧位置 预设位置 清洗槽 浸没 清洗 容纳 脱离 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆后处理系统，包括：清洗槽，用于容纳清洗晶圆的清洗液；晶圆提升装置，用于从所述清洗液中提升浸没于所述清洗液的晶圆；所述晶圆提升装置包括：第一移动机构，用于固定所述晶圆的位于所述清洗液中的下侧位置进行提升；第二移动机构，用于在所述第一移动机构将所述晶圆提升至预设位置时，固定所述晶圆的位于所述清洗液液面以上的已经被清洗干燥的上侧位置继续提升直至所述晶圆脱离所述清洗液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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