[发明专利]成膜方法及成膜装置有效
| 申请号： | 201910514337.7 | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN110629198B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 藤原直宪 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/458;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种成膜方法及成膜装置，其针对至少具有设有槽的绝缘膜的基板上的槽的壁面，将膜厚调整为所需厚度。该成膜方法针对至少具有设有槽的绝缘膜的基板至少供给原料气体以进行成膜处理，其中，一边改变所述原料气体的每单位时间供给量一边进行成膜处理。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种成膜方法，其针对至少具有设有槽的绝缘膜的基板至少供给原料气体以进行成膜处理，/n其中，一边改变所述原料气体的每单位时间供给量一边进行成膜处理。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
