[发明专利]成膜方法及成膜装置

权利要求书

1.一种成膜方法，其通过针对至少具有设有槽的绝缘膜的基板供给一种原料气体以进行成膜处理，使保护膜在所述槽的壁面与底面成膜，

其中，通过进行改变所述一种原料气体的每单位时间供给量的斜坡处理，形成厚度从所述壁面的上端到下端以及所述底面逐渐变薄的所述保护膜。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，将所述原料气体的所述每单位时间供给量设为最大量后，使所述每单位时间供给量以恒定梯度逐渐减少。

3.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，将所述原料气体的所述每单位时间供给量设为最大量后，使所述每单位时间供给量以多个梯度逐渐减少。

4.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，将所述原料气体的所述每单位时间供给量设为最大量后，以使所述每单位时间供给量逐渐减少的处理和使所述每单位时间供给量保持恒定的处理作为序列处理，进行1个或2个以上所述序列处理。

5.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，将所述原料气体的所述每单位时间供给量设为最大量后，使所述每单位时间供给量以恒定梯度逐渐减少，使所述每单位时间供给量再次增加至最大量并维持该最大量。

6.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，使所述原料气体的所述每单位时间供给量从最小量逐渐增加至最大量。

7.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，使所述原料气体的所述每单位时间供给量以最小量保持恒定后，使所述每单位时间供给量逐渐增加至最大量。

8.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，将所述原料气体的所述每单位时间供给量设为最小量，并且以使所述每单位时间供给量逐渐增加的处理和使所述每单位时间供给量保持恒定的处理作为序列处理，进行1个或2个以上所述序列处理。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的成膜方法，其中，在所述基板上形成层叠有所述绝缘膜和电极膜的多层膜，所述槽为深槽。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的成膜方法，其中，

利用包括具有放置部的旋转台、以及处理区域的成膜装置，将多个所述基板放置在所述放置部上，一边使所述旋转台旋转，一边向多个基板至少供给原料气体，

所述旋转台以旋转自如的方式被收容在处理容器内，并且在上表面上具有用于在放置多个所述基板的所述放置部，

所述处理区域具有用于向所述旋转台的所述上表面供给所述原料气体的气体供给部。

11.根据权利要求1至8中任一项所述的成膜方法，其中，所述槽是孔或沟槽。

12.一种成膜装置，包括：

处理容器；

旋转台，以旋转自如的方式被收容在所述处理容器内，并且具有用于将至少具有设有槽的绝缘膜的多个基板放置在上表面上的放置部；

处理区域，具有用于向所述旋转台的所述上表面供给一种原料气体的气体供给部；以及

控制部，执行成膜处理，该成膜处理通过进行改变所述一种原料气体的每单位时间供给量的斜坡处理，形成厚度从所述槽的壁面的上端到下端以及底面逐渐变薄的保护膜。