[发明专利]成膜方法及成膜装置

说明书

提供一种成膜方法及成膜装置，其针对至少具有设有槽的绝缘膜的基板上的槽的壁面，将膜厚调整为所需厚度。该成膜方法针对至少具有设有槽的绝缘膜的基板至少供给原料气体以进行成膜处理，其中，一边改变所述原料气体的每单位时间供给量一边进行成膜处理。

技术领域

本公开涉及一种成膜方法及成膜装置。

背景技术

专利文献1公开了一种成膜方法，其在形成在基板上的凹部中形成氧化硅膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：(日本)特开2014-17296号公报

发明内容

本发明要解决的问题

本公开提供一种成膜方法及成膜装置，其有利于针对至少具有设有槽的绝缘膜的基板上的槽的壁面，将膜厚调整为所需厚度。

用于解决问题的手段

根据本公开的一个实施方式，提供一种成膜方法，其针对至少具有设有槽的绝缘膜的基板至少供给原料气体以进行成膜处理，其中，一边改变所述原料气体的每单位时间供给量一边进行成膜处理。

发明的效果

根据本公开，能够提供一种成膜方法及成膜装置，其针对至少具有设有槽的绝缘膜的基板上的槽的壁面，将膜厚调整为所需厚度。

附图说明

图1是实施方式中的成膜装置的纵向剖视图。

图2是示出图1的成膜装置内部的概要结构的立体图。

图3是示出图1的成膜装置内部的概要结构的平面图，该平面图中一并示出了控制部的内部结构。

图4A是示出图1的成膜装置中的供给区域及分离区域的示例的纵向剖视图，该纵向剖视图穿过放置有晶圆的放置部。

图4B是示出图1的成膜装置中的供给区域及分离区域的示例的纵向剖视图，该纵向剖视图未穿过放置部。

图5是图1的成膜装置的另一个纵向剖视图。

图6是图1的成膜装置的又一个纵向剖视图。

图7A是示出作为成膜对象的多层膜的示例的图，该多层膜形成在晶圆上且具有槽。

图7B是示出针对多层膜的槽的壁面形成有保护膜的状态的图，该保护膜的膜厚在槽的深度方向上被调整。

图8A是示出第1实施方式中的成膜方法的工艺序列的示例的图。

图8B是示出第2实施方式中的成膜方法的工艺序列的示例的图。

图8C是示出第3实施方式中的成膜方法的工艺序列的示例的图。

图8D是示出第4实施方式中的成膜方法的工艺序列的示例的图。

图9A是示出第5实施方式中的成膜方法的工艺序列的示例的图。

图9B是示出第6实施方式中的成膜方法的工艺序列的示例的图。

图9C是示出第7实施方式中的成膜方法的工艺序列的示例的图。

图10是示出第8实施方式中的成膜方法的工艺序列的示例的图。

图11是表示验证出膜的台阶覆盖率的对于基座的转数的依赖性的实验结果的图。

图12是表示验证出膜的台阶覆盖率的对于原料气体的流量的依赖性的实验结果的图。

图13是表示验证出膜的台阶覆盖率的对于成膜时的斜坡率的依赖性的实验结果的图。