[发明专利]半导体器件、半导体封装件和制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201910504531.7 | 申请日： | 2019-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN110610923A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 洪义官;金泰成 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 11330 北京市立方律师事务所 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件、一种半导体封装件和一种制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：第一结构，所述第一结构包括第一导电图案，所述第一导电图案在所述第一结构的上部被暴露；模制层，所述模制层覆盖所述第一导电图案；第二结构，所述第二结构位于所述模制层上；以及贯穿通路，所述贯穿通路穿过所述第二结构和所述模制层，所述贯穿通路电连接到所述第一导电图案，所述贯穿通路包括位于所述第二结构中的第一通路部分和位于所述模制层中的第二通路部分，所述第二通路部分连接到所述第一通路部分，所述第二通路部分的上部具有第一宽度，所述第二通路部分的中间部分具有大于所述第一宽度的第二宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 模制层 导电图案 半导体器件 贯穿 半导体封装件 电连接 穿过 暴露 覆盖 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：/n第一结构，所述第一结构包括第一导电图案，所述第一导电图案在所述第一结构的上部被暴露；/n模制层，所述模制层覆盖所述第一导电图案；/n第二结构，所述第二结构位于所述模制层上；以及/n贯穿通路，所述贯穿通路穿过所述第二结构和所述模制层，所述贯穿通路电连接到所述第一导电图案，所述贯穿通路包括：/n第一通路部分，所述第一通路部分位于所述第二结构中，以及/n第二通路部分，所述第二通路部分位于所述模制层中，所述第二通路部分连接到所述第一通路部分，所述第二通路部分的上部具有第一宽度，所述第二通路部分的中间部分具有大于所述第一宽度的第二宽度。/n
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