[发明专利]GaN功率器件的缺陷可容布局和封装有效
| 申请号： | 201910490973.0 | 申请日： | 2019-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN110416096B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 李湛明;罗广豪;傅玥;吴伟东;刘雁飞 | 申请（专利权）人： | 苏州量芯微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/544;H01L27/085 |
| 代理公司： | 北京久诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11542 | 代理人： | 余罡 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州市中国(江苏)自由*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种GaN功率器件的缺陷可容布局和封装。一种GaN功率开关器件，包括：至少有一个包含数个子器件的晶片，其中每一个子器件都是一个开关器件；将这至少一个晶片中仅正常子器件选择性地连接在一起来构成功率开关器件；在封装之前，正常子器件与缺陷子器件通过缺陷子器件上的标注区分。本发明采用包含数个低功率子器件的晶片来获得高额定功率。这种晶片中仅正常子器件相互连接，并通过有选择性地排除缺陷子器件来允许缺陷子器件的存在。本发明所述封装和方法特别应用于GaN功率开关器件比如高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)，可以最大程度的提高整个晶片的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | gan 功率 器件 缺陷 布局 封装 | ||
【主权项】：
1.一种GaN功率开关器件，其特征在于，包括：至少有一个包含数个子器件的晶片，其中每一个子器件都是一个开关器件；将这至少一个晶片中仅正常子器件选择性地连接在一起来构成功率开关器件；在封装之前，正常子器件与缺陷子器件通过缺陷子器件上的标注区分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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